[發明專利]光罩缺陷的清潔裝置及清潔方法

在審

• 申請號: 201811076119.1
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN110899246A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B08B6/00
• 分類號: B08B6/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種光罩缺陷的清潔裝置，用于對待處理光罩上的待清潔缺陷進行清潔，所述待清潔缺陷形成于所述待處理光罩的待處理表面上，其特征在于，所述清潔裝置包括：

缺陷吸附組件，使用所述缺陷吸附組件對所述待處理表面上的所述待清潔缺陷進行清潔時，將所述缺陷吸附組件設置成與所述待處理表面之間具有間距，且所述缺陷吸附組件基于靜電感應吸附所述待清潔缺陷，以實現所述待處理光罩的清潔。

2.根據權利要求1所述的光罩缺陷的清潔裝置，其特征在于，所述缺陷吸附組件包括靜電吸盤，所述清潔裝置還包括電源裝置，其中，所述靜電吸盤設置于所述待處理表面上方，所述電源裝置與所述靜電吸盤電連接，以使得所述靜電吸盤上產生吸附電荷，所述靜電吸盤基于所述吸附電荷的靜電感應吸附所述待清潔缺陷。

3.根據權利要求2所述的光罩缺陷的清潔裝置，其特征在于，所述待處理光罩包括保護薄膜，所述待清潔缺陷形成于所述保護薄膜上，所述保護薄膜形成有所述待清潔缺陷的表面構成所述待處理表面，其中，所述靜電吸盤的形狀與所述保護薄膜的形狀概呈相同，所述靜電吸盤的尺寸超出對應方向上所述保護薄膜尺寸的5％-10％；所述靜電吸盤的材質包括金屬。

4.根據權利要求3所述的光罩缺陷的清潔裝置，其特征在于，所述待處理光罩還包括基板、掩膜圖形以及環形邊框，其中，所述掩膜圖形及所述環形邊框設置于所述基板表面，且所述環形邊框位于所述掩膜圖形外圍，所述保護薄膜設置于所述環形邊框遠離所述基板的一側且與所述環形邊框及所述基板形成一腔體。

5.根據權利要求1所述的光罩缺陷的清潔裝置，其特征在于，所述缺陷吸附組件與所述待處理表面之間的間距介于1mm-10mm之間。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的光罩缺陷的清潔裝置，其特征在于，所述清潔裝置還包括靜電消除裝置，以消除所述待處理光罩上的靜電。

7.一種光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，所述清潔方法包括如下步驟：

1)提供待處理光罩，且所述待處理光罩的待處理表面上形成有待清潔缺陷；以及

2)基于靜電感應吸附的方式吸附所述待清潔缺陷，以實現所述待處理光罩的清潔。

8.根據權利要求7所述的光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，步驟2)中，基于靜電感應吸附的方式吸附所述待清潔缺陷具體包括步驟：

2-1)提供缺陷吸附組件，將所述缺陷吸附組件設置于所述待處理表面上方，且所述缺陷吸附組件與所述待處理表面之間具有間距；以及

2-2)運行所述缺陷吸附組件，以使所述缺陷吸附組件基于靜電感應吸附的方式吸附所述待清潔缺陷。

9.根據權利要求8所述的光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，步驟2-1)中所述缺陷吸附組件包括靜電吸盤，步驟2-2)中還包括提供電源裝置的步驟，其中，所述電源裝置與所述靜電吸盤電連接，運行所述缺陷吸附組件的方式包括：開啟所述電源裝置，以使所述靜電吸盤上產生吸附電荷，所述靜電吸盤基于所述吸附電荷的靜電感應吸附所述待清潔缺陷。

10.根據權利要求9所述的光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，所述待清潔缺陷不帶電，控制所述靜電吸盤產生吸附正電荷及吸附負電荷中的任意一種。

11.根據權利要求9所述的光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，運行所述缺陷吸附組件的方式中還包括關閉所述電源裝置的步驟，以在所述缺陷吸附組件運行的過程中交替的進行所述電源裝置的開啟與所述電源裝置的關閉。

12.根據權利要求11所述的光罩缺陷的清潔方法，其特征在于，所述電源裝置開啟的時間介于1s-5s之間，所述電源裝置關閉的時間介于1s-5s之間；所述電源裝置開啟的過程中，輸出電壓介于10v-100v之間，輸出電流介于0.01mA-0.1mA之間。