[發明專利]集成電路結構在審
| 申請號: | 201811075644.1 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN110164864A | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發明(設計)人: | 林祐寬;楊昌達;王屏薇;趙高毅;王美勻 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11 | 分類號: | H01L27/11 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 導孔 通道區域 導電接點 漏極區域 晶體管 集成電路結構 源極區域 覆蓋 電性絕緣層 彼此電性 平面延伸 主動區域 相隔 包圍 | ||
1.一種集成電路結構,包括:
一基板;
一半導體主動區域,覆蓋于該基板上;
一第一柵極,覆蓋該主動區域中的一第一通道區域;
一第一晶體管,包括該第一通道區域、鄰近該主動區域中該第一通道區域的一第一側的一第一源極區域、鄰近該第一通道區域的一第二側的一第一漏極區域、及該第一柵極;
一導電接點,直接連接該第一晶體管的該第一漏極區域;
一第二柵極,與該第一柵極相隔,該第二柵極覆蓋一第二通道區域;
一第二晶體管,包括該第二通道區域、鄰近該主動區域中該第二通道區域的一第一側的一第二源極區域、鄰近該第二通道區域的一第二側的一第二漏極區域、及該第二柵極;
一導電導孔,直接連接該第二柵極;
一擴大導電導孔,覆蓋該導電接點及該導電導孔,使彼此電性連接,該擴大導電導孔從該導電接點至該導電導孔于一平面延伸;及
一第一電性絕緣層,包圍該擴大導電導孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





