[發(fā)明專(zhuān)利]標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法及具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811075274.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110911385A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/544 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰濱;劉兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 標(biāo)準(zhǔn) 對(duì)準(zhǔn) 圖案 修改 方法 具有 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底形成第一對(duì)準(zhǔn)圖案，所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少突出于所述半導(dǎo)體襯底表面的突出圖形；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一光掩膜層，所述第一光掩膜層填充于所述突出圖形之間并延伸覆蓋所述突出圖形，所述第一光掩膜層包括正型光刻膠；
在所述第一光掩膜層中形成第一光掩膜圖案；
以所述第一光掩膜圖案為掩膜，通過(guò)刻蝕工藝將所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案修改成第二對(duì)準(zhǔn)圖案，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案還包括位于所述中間圖形兩側(cè)的側(cè)邊圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案完全對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底形成第一對(duì)準(zhǔn)圖案的步驟包括：
在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二光掩膜層；
以標(biāo)準(zhǔn)掩膜板為掩膜，通過(guò)曝光光刻工藝在所述第二光掩膜層中形成第二光掩膜圖案；
以所述第二光掩膜圖案為掩膜，通過(guò)刻蝕工藝在所述半導(dǎo)體襯底形成所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，在所述第一光掩膜層中形成第一光掩膜圖案的步驟包括：
以修改掩膜板為掩膜，通過(guò)曝光光刻工藝在所述第一光掩模層中形成所述第一光掩膜圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線對(duì)準(zhǔn)重疊于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)圖案修改方法，其特征在于，所述第一光掩膜圖案包括至少凹入所述第一光掩模層的第一掩膜槽孔。
8.一種具有修改圖案的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底；
第一對(duì)準(zhǔn)圖案的突出圖形，突出于所述半導(dǎo)體襯底的表面；
第二對(duì)準(zhǔn)圖案，對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案還包括位于所述中間圖形兩側(cè)的側(cè)邊圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案完全對(duì)準(zhǔn)形成于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案中。
11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線對(duì)準(zhǔn)重疊于所述第一對(duì)準(zhǔn)圖案的中間線。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司，未經(jīng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811075274.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,對(duì)準(zhǔn)方法和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置、用于這樣的對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)元件和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
- 使用物理對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)
- 使用物理對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)
- 對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法
- 對(duì)準(zhǔn)裝置及對(duì)準(zhǔn)方法
