[發明專利]標準對準圖案修改方法及具有修改圖案的半導體裝置

在審

• 申請號: 201811075274.1
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN110911385A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;劉兵

本申請公開了一種標準對準圖案修改方法及具有修改圖案的半導體裝置，本申請提供的標準對準圖案修改方法包括：提供一半導體襯底；在所述半導體襯底形成第一對準圖案，所述第一對準圖案包括至少突出于所述半導體襯底表面的突出圖形；在所述半導體襯底上形成第一光掩膜層，所述第一光掩膜層填充于所述突出圖形之間并延伸覆蓋所述突出圖形，所述第一光掩膜層包括正型光刻膠；在所述第一光掩膜層中形成第一光掩膜圖案；以所述第一光掩膜圖案為掩膜，通過刻蝕工藝將所述第一對準圖案修改成第二對準圖案，所述第二對準圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。

技術領域

本申請涉及半導體器件制造領域，具體地，涉及一種標準對準圖案修改方法及一種具有修改圖案的半導體裝置。

背景技術

隨著半導體制造工藝的不斷發展，電路設計越來越復雜、特征尺寸越來越小，芯片的集成度越來越高。這對半導體制造工藝提出了越來越嚴格的要求，因此必須在工藝過程中盡可能地減小每個步驟的誤差，降低因誤差造成的器件失效。光刻是半導體制造過程中一道重要的工序，而影響光刻工藝誤差的因素除了光刻機的分辨率之外，還有光刻機的對準精確度。可以采用標準掩膜板來進行光刻機的對準，將標準掩膜板上的標準對準圖案轉印至襯底上供光刻機對準使用，以提高光刻機的對準精確度。

由于標準對準圖案與標準掩膜板相互對應，如果需要采用另一種標準對準圖案，則需要更換與之對應的標準掩膜板，而標準掩膜板是半導體制造過程中造價最高的一部分，所以更換新的標準掩膜板需要耗費大量的資金，增加了制造成本。

發明內容

本申請的目的是提供一種標準對準圖案修改方法及一種具有修改圖案的半導體裝置，該制作方法能夠在已有標準對準圖案的基礎上，通過修改掩膜板將標準對準圖案修改成需要的對準圖案，減少更換標準掩膜板的費用，降低制造成本。

為了實現上述目的，在本申請的第一方面，提供一種標準對準圖案修改方法，包括：提供一半導體襯底；在所述半導體襯底形成第一對準圖案，所述第一對準圖案包括至少突出于所述半導體襯底表面的突出圖形；在所述半導體襯底上形成第一光掩膜層，所述第一光掩膜層填充于所述突出圖形之間并延伸覆蓋所述突出圖形，所述第一光掩膜層包括正型光刻膠；在所述第一光掩膜層中形成第一光掩膜圖案；以所述第一光掩膜圖案為掩膜，通過刻蝕工藝將所述第一對準圖案修改成第二對準圖案，所述第二對準圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。

可選地，所述第二對準圖案還包括位于所述中間圖形兩側的側邊圖形。

可選地，所述第二對準圖案完全對準形成于所述第一對準圖案中。

可選地，在所述半導體襯底形成第一對準圖案的步驟包括：在所述半導體襯底上形成第二光掩膜層；以標準掩膜板為掩膜，通過曝光光刻工藝在所述第二光掩膜層中形成第二光掩膜圖案；以所述第二光掩膜圖案為掩膜，通過刻蝕工藝在所述半導體襯底形成所述第一對準圖案。

可選地，在所述第一光掩膜層中形成第一光掩膜圖案的步驟包括：以修改掩膜板為掩膜，通過曝光光刻工藝在所述第一光掩模層中形成所述第一光掩膜圖案。

可選地，所述第二對準圖案的中間線對準重疊于所述第一對準圖案的中間線。

可選地，所述第一光掩膜圖案包括至少凹入所述第一光掩模層的第一掩膜槽孔。

本申請第二方面提供一種具有修改圖案的半導體裝置，包括：半導體襯底；第一對準圖案的突出圖形，突出于所述半導體襯底的表面；第二對準圖案，對準形成于所述第一對準圖案中，所述第二對準圖案包括至少凹入于所述突出圖形中的中間圖形。

可選地，所述第二對準圖案還包括位于所述中間圖形兩側的側邊圖形。

可選地，所述第二對準圖案完全對準形成于所述第一對準圖案中。

可選地，所述第二對準圖案的中間線對準重疊于所述第一對準圖案的中間線。