[發明專利]有源矩陣有機發光二極管背板及其制造方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201811074915.1 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN109037303B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 周全國;周麗佳;王志東;晏榮建;程久陽;蘭榮華;楊慶國 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 張京波;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 有機 發光二極管 背板 及其 制造 方法 顯示 面板 | ||
本發明提供了一種有源矩陣有機發光二極管背板及其制造方法、顯示面板。有源矩陣有機發光二極管背板包括設置在基底上的共面結構層以及設置在所述共面結構層上的發光結構層,所述共面結構層包括通過同一次制備過程形成的共面結構的薄膜晶體管和薄膜電池。本發明通過將薄膜晶體管和薄膜電池構建成共面結構,最大限度地提高了集成度,有效減小了整體模組厚度,通過同一次制備過程形成薄膜晶體管和薄膜電池,最大限度地減少了構圖工藝次數,簡化了制備流程,有效降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種集成薄膜電池的有源矩陣有機發光二極管背板及其制造方法、顯示面板。
背景技術
近年來,有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)顯示面板以其高可靠性、高分辨率、高色域等優點,廣泛地應用于各種電子設備中。隨著智能穿戴、移動應用等技術的發展,移動設備的輕薄化和長續航能力已經成為平板顯示的重要發展趨勢,同時,用戶對于AMOLED顯示面板的屏幕尺寸、亮度、色彩飽和度以及分辨率提出了新的要求,使得顯示面板的功耗隨之升高。因此,如何提高電池能量密度、降低電池厚度已成為本領域亟待解決的重要問題。
為此,相關技術提出了全固態薄膜鋰電池(All Solid State Thin Film LithiumBattery)概念。全固態薄膜鋰電池是使用固態電解質替代傳統電池中的液態電解質,不僅安全性高,而且具有輕薄、可高溫充放電、壽命長、快速充電、續航能力長及具有柔性等優點。目前,在將全固態薄膜鋰電池應用于AMOLED顯示面板時,現有技術通常是采用組合結構或疊設結構。組合結構是分別制備AMOLED顯示面板和全固態薄膜電池,然后將兩者組合成一體。疊設結構是在制備AMOLED顯示面板中,將全固態薄膜電池設置在AMOLED背板基底上或設置在封裝層上。
經本申請發明人研究發現,現有組合結構由于系統集成度低,使得整體模組厚度大,而現有疊設結構由于制備過程中需要依次薄膜鋰電池和陣列結構層,使得構圖工藝次數多,制備流程復雜繁瑣,生產成本高。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題是,提供一種有源矩陣有機發光二極管背板及其制造方法、顯示面板,以克服現有結構存在整體模組厚度大、生產成本高等缺陷。
為了解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種有源矩陣有機發光二極管背板,包括設置在基底上的共面結構層以及設置在所述共面結構層上的發光結構層,所述共面結構層包括通過同一次制備過程形成的共面結構的薄膜晶體管和薄膜電池。
可選地,所述薄膜晶體管的柵電極與所述薄膜電池的正極集流體同層設置,且通過一次構圖工藝形成;所述薄膜晶體管的第一電極和第二電極與所述薄膜電池的負極集流體同層設置,且通過一次構圖工藝形成。
可選地,所述薄膜電池包括全固態薄膜鋰電池。
可選地,所述共面結構層包括:
基底;
覆蓋所述基底的緩沖層;
設置在所述緩沖層上的多晶硅有源層;
覆蓋所述多晶硅有源層的第一絕緣層;
設置在所述第一絕緣層上通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體;
覆蓋所述柵電極和正極集流體的第二絕緣層,其上開設有暴露出所述多晶硅有源層的第一過孔和第二過孔,以及暴露出所述正極集流體的第三過孔;
設置在所述第三過孔內的薄膜電池的正電極、電解質和負電極;
通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的第一電極和第二電極,以及薄膜電池的負極集流體,所述第一電極和第二電極分別通過所述第一過孔和第二過孔與多晶硅有源層連接,所述負極集流體設置在所述負電極上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





