[發明專利]有源矩陣有機發光二極管背板及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201811074915.1
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN109037303B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 周全國;周麗佳;王志東;晏榮建;程久陽;蘭榮華;楊慶國
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張京波;曲鵬

1.一種有源矩陣有機發光二極管背板，其特征在于，包括設置在基底上的共面結構層以及設置在所述共面結構層上的發光結構層，所述共面結構層包括形成共面結構的薄膜晶體管和全固態薄膜鋰電池；所述薄膜晶體管的柵電極與所述全固態薄膜鋰電池的正極集流體同層設置，且通過一次構圖工藝形成；所述薄膜晶體管的第一電極和第二電極與所述全固態薄膜鋰電池的負極集流體同層設置，且通過一次構圖工藝形成；還包括覆蓋所述第一電極、第二電極和負極集流體的第三絕緣層，所述發光結構層設置在所述第三絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的背板，其特征在于，所述共面結構層包括：

基底；

覆蓋所述基底的緩沖層；

設置在所述緩沖層上的多晶硅有源層；

覆蓋所述多晶硅有源層的第一絕緣層；

設置在所述第一絕緣層上通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體；

覆蓋所述柵電極和正極集流體的第二絕緣層，其上開設有暴露出所述多晶硅有源層的第一過孔和第二過孔，以及暴露出所述正極集流體的第三過孔；

設置在所述第三過孔內的薄膜電池的正電極、電解質和負電極；

通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的第一電極和第二電極，以及薄膜電池的負極集流體，所述第一電極和第二電極分別通過所述第一過孔和第二過孔與多晶硅有源層連接，所述負極集流體設置在所述負電極上；

覆蓋所述第一電極、第二電極和負極集流體的第三絕緣層，其上開設有暴露出所述第一電極的第四過孔。

3.根據權利要求1所述的背板，其特征在于，所述共面結構層包括：

基底；

覆蓋所述基底的緩沖層；

設置在所述緩沖層上通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體；

覆蓋所述柵電極和正極集流體的第一絕緣層，其上開設有暴露出所述正極集流體的第三過孔；

設置在所述第一絕緣層上的氧化物有源層；

設置在所述第三過孔內的薄膜電池的正電極、電解質和負電極；

通過同一次構圖工藝形成的薄膜晶體管的第一電極和第二電極，以及薄膜電池的負極集流體，所述第一電極和第二電極之間形成導電溝道，所述負極集流體設置在負電極上；

覆蓋所述第一電極、第二電極和負極集流體的第三絕緣層，其上開設有暴露出所述第一電極的第四過孔。

4.根據權利要求3所述的背板，其特征在于，所述氧化物有源層上還設置有刻蝕阻擋層。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1～4任一所述的有源矩陣有機發光二極管背板。

6.一種有源矩陣有機發光二極管背板的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成共面結構層，所述共面結構層包括形成共面結構的薄膜晶體管和全固態薄膜鋰電池；在基底上形成共面結構層，包括：

通過同一次構圖工藝形成薄膜晶體管的柵電極和全固態薄膜鋰電池的正極集流體；

通過同一次構圖工藝形成薄膜晶體管的第一電極和第二電極，以及全固態薄膜鋰電池的負極集流體；

形成覆蓋所述第一電極、第二電極和負極集流體的第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上形成發光結構層。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，在基底上形成共面結構層，包括：

在基底上形成薄膜晶體管的多晶硅有源層；

通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體；

依次形成薄膜電池的正電極、電解質和負電極；

通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管的第一電極和第二電極，以及薄膜電池的負極集流體。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝形成薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體，包括：

依次沉積第一絕緣層和第一金屬薄膜；通過構圖工藝形成覆蓋所述多晶硅有源層的第一絕緣層以及設置在所述第一絕緣層上的薄膜晶體管的柵電極和薄膜電池的正極集流體。