[發明專利]燃料標靶產生器

在審

• 申請號: 201811074418.1
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN109752927A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 賴政豪;張漢龍;陳立銳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開部分實施例提供一種燃料標靶產生器。上述燃料標靶產生器包括一緩沖腔體，配置用于接收一標靶燃料。上述燃料標靶產生器還包括一存儲腔體，連結至緩沖腔體并配置用于接收來自緩沖腔體的標靶燃料。上述燃料標靶產生器也包括一閥構件，配置用于控制標靶燃料從緩沖腔體到存儲腔體的流動。另外，上述燃料標靶產生器包括一噴嘴，連結至存儲腔體并配置用于供應標靶燃料。

技術領域

本發明部分實施例涉及一種燃料標靶產生器，特別涉及一種在光刻曝光系統中產生液滴的燃料標靶產生器。

背景技術

半導體集成電路工業已歷經蓬勃發展的階段。集成電路材料及設計在技術上的進步使得每一代生產的集成電路變得比先前生產的集成電路更小且其電路也變得更復雜。在集成電路發展的進程中，功能性密度(例如：每一個芯片區域中內連接裝置的數目)已經普遍增加，而幾何尺寸(例如：工藝中所能創造出最小的元件(或線路))則是普遍下降。這種微縮化的過程通常可通過增加生產效率及降低相關支出提供許多利益。

舉例來說，對于使用較高分辨率的光刻工藝的需求成長。一種光刻技術是稱為極紫外光刻技術(extreme ultraviolet lithography,EUVL)，EUVL使用具有約800nm波長的極紫外(EUV)區域的光的掃描儀。一種EUV光源是激光產生等離子體(laser-producedplasma，LPP)。LPP技術通過將高功率激光聚焦到小型燃料液滴上來產生EUV光，以形成高電離等離子體以發射EUV輻射，最大發射峰值為13.5nm。然后EUV光被收集器收集并由光學元件反射到光刻曝光物體，例如晶圓。

雖然現有的產生極紫外光的方法及裝置已經可足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，仍需要一種從輸入能量增加能源轉換效率予離子化的解決方案。

發明內容

本公開部分實施例提供一種燃料標靶產生器。上述燃料標靶產生器包括一緩沖腔體，配置用于接收一標靶燃料。上述燃料標靶產生器還包括一存儲腔體，連結至緩沖腔體并配置用于接收來自緩沖腔體的標靶燃料。上述燃料標靶產生器也包括一閥構件，配置用于控制標靶燃料從緩沖腔體到存儲腔體的流動。另外，上述燃料標靶產生器包括一噴嘴，連結至存儲腔體并配置用于供應標靶燃料。

本公開另一實施例提供一種光刻曝光系統。上述光刻曝光系統包括一燃料標靶產生器。燃料標靶產生器包括一緩沖腔體、一存儲腔體及一噴嘴按序排列以導引標靶燃料的流動。緩沖腔體選擇性連結至存儲腔體。上述光刻曝光系統還包括一激光產生器配置用于產生用于撞擊由燃料標靶產生器所產生的標靶燃料。上述光刻曝光系統也包括一控制器。控制器配置用于控制存儲腔體與緩沖腔體具有相同氣壓。并且控制器配置用于控制從緩沖腔體到存儲腔體的標靶燃料的流動。

本公開另一實施例提供一種在光刻曝光系統產生輻射光的方法。上述方法包括在存儲腔體中產生一個既定氣壓，以經由噴嘴供應在存儲腔體中的第一批次標靶燃料。上述方法還包括使用激光照射來自噴嘴的標靶燃料以產生輻射光。上述方法也包括增加緩沖腔體中的氣壓至既定氣壓，緩沖腔體中存儲第二批次標靶燃料。另外，上述方法還包括在緩沖腔體中產生既定氣壓后，啟動標靶燃料從緩沖腔體到存儲腔體的流動。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，附圖并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明：

圖1顯示根據部分實施例的光刻系統的示意圖。

圖2顯示根據部分實施例的光源的示意圖。

圖3顯示根據部分實施例中連接到燃料源和控制器的燃料標靶產生器的示意圖。

圖4顯示根據部分實施例在光刻曝光制成中用于產生光的方法的流程圖。

圖5顯示根據部分實施例一標靶燃料產生器的部分構件的剖面圖，其中標靶燃料通過一存儲腔體產生。