[發明專利]等離子處理裝置有效
| 申請號: | 201811072892.0 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN109554688B | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 加藤典之 | 申請(專利權)人: | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/04;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 高培培;車文 |
| 地址: | 日本愛知*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 裝置 | ||
1.一種等離子處理裝置,所述等離子處理裝置構成為對具有導電性的平板狀的工件進行等離子處理,所述等離子處理裝置的特征在于,包括:
導電性的真空容器,具有凹陷部和從所述凹陷部連續地設置在所述凹陷部的外側的周緣部,所述凹陷部構成為供所述平板狀的工件的至少單側的處理對象部分配置;
保持構件,構成為以使所述工件相對于所述周緣部分離且絕緣的方式保持所述工件;
電壓施加部,構成為對所述工件與所述真空容器之間施加電壓;及
絕緣層,構成為覆蓋所述周緣部中與所述工件對向的部位。
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述凹陷部包括底部和將所述底部與所述周緣部連接的側部,
所述絕緣層構成為除了覆蓋所述周緣部中與所述工件對向的部位之外,還覆蓋所述側部。
3.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述絕緣層構成為能夠從所述真空容器卸下。
4.根據權利要求1或2所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述凹陷部包括與所述工件的表面側和背面側對應設置的第一凹陷部和第二凹陷部。
5.根據權利要求3所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述凹陷部包括與所述工件的表面側和背面側對應設置的第一凹陷部和第二凹陷部。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





