[發(fā)明專利]等離子處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811072892.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN109554688B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤典之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐田自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C16/50
• 分類號(hào): C23C16/50;C23C16/458;C23C16/04;C23F4/00;H01J37/32
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

本發(fā)明提供一種等離子處理裝置，構(gòu)成為對(duì)具有導(dǎo)電性的平板狀的工件進(jìn)行等離子處理，具備：導(dǎo)電性的真空容器，具有凹陷部和從凹陷部連續(xù)地設(shè)置在凹陷部的外側(cè)的周緣部，該凹陷部構(gòu)成為供平板狀的工件的至少單側(cè)的處理對(duì)象部分配置；保持構(gòu)件，構(gòu)成為以使所述工件相對(duì)于周緣部分離且絕緣的方式保持所述工件；電壓施加部，構(gòu)成為對(duì)工件與真空容器之間施加電壓；及絕緣層，構(gòu)成為覆蓋周緣部中與工件對(duì)向的部位。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及對(duì)導(dǎo)電性的工件進(jìn)行等離子處理的等離子處理裝置。

背景技術(shù)

作為對(duì)工件進(jìn)行等離子處理的裝置，日本特開2009-62579記載有通過上下分割成兩部分的成膜容器夾持工件，使成膜容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體而進(jìn)行成膜的裝置。

發(fā)明內(nèi)容

在通過成膜容器夾持工件并使成膜容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體的情況下，在成膜容器內(nèi)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生異常放電。

本公開可以作為以下的方式實(shí)現(xiàn)。

本公開的方式的等離子處理裝置構(gòu)成為對(duì)具有導(dǎo)電性的平板狀的工件進(jìn)行等離子處理。所述等離子處理裝置具備：導(dǎo)電性的真空容器，具有凹陷部和從所述凹陷部連續(xù)地設(shè)置在所述凹陷部的外側(cè)的周緣部，所述凹陷部構(gòu)成為供所述平板狀的工件的至少單側(cè)的處理對(duì)象部分配置；保持構(gòu)件，構(gòu)成為以使所述工件相對(duì)于所述周緣部分離且絕緣的方式保持所述工件；電壓施加部，構(gòu)成為對(duì)所述工件與所述真空容器之間施加電壓；及絕緣層，構(gòu)成為覆蓋所述周緣部中與所述工件對(duì)向的部位。根據(jù)本公開的方式的等離子處理裝置，周緣部中與工件對(duì)向的部位由絕緣層覆蓋，因此能夠?qū)ぜc真空容器之間施加電壓而對(duì)工件進(jìn)行等離子處理，并抑制在工件與周緣部之間產(chǎn)生異常放電。

在本公開的方式中，所述凹陷部可以包括底部和將所述底部與所述周緣部連接的側(cè)部。所述絕緣層可以構(gòu)成為除了覆蓋所述周緣部中與所述工件對(duì)向的部位之外，還覆蓋所述側(cè)部。根據(jù)本公開的方式，能夠抑制在周緣部的接下來與工件接近的電極部分即側(cè)部與工件之間產(chǎn)生異常放電。

在本公開的方式中，所述絕緣層可以構(gòu)成為能夠從所述真空容器卸下。根據(jù)本公開的方式，即使在等離子處理時(shí)產(chǎn)生的異物等附著于絕緣層的表面的情況下，也能夠?qū)⒔^緣層從真空容器卸下而進(jìn)行更換、清掃。因此，能夠抑制在絕緣層的表面堆積異物引起的異常放電的產(chǎn)生。

在本公開的方式中，所述凹陷部包括與所述工件的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)葘?duì)應(yīng)設(shè)置的第一凹陷部和第二凹陷部。根據(jù)本公開的方式，能夠?qū)ぜ谋砻鎮(zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)冗M(jìn)行等離子處理，并抑制在工件與周緣部之間產(chǎn)生異常放電。

本公開也能夠以上述的等離子處理裝置以外的各種方式實(shí)現(xiàn)。例如，能夠以對(duì)于工件的一部分進(jìn)行等離子處理的方法等方式實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

前述及后述的本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)通過下面的具體實(shí)施方式的說明并參照附圖而明確，其中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部件。

圖1是表示第一實(shí)施方式的等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。

圖2是等離子處理裝置的分解立體圖。

圖3是等離子處理裝置的局部放大剖視圖。

圖4是等離子處理裝置的局部放大剖視圖。

圖5是表示等離子處理裝置對(duì)工件的等離子處理方法的工序圖。

圖6是表示第二實(shí)施方式的等離子處理裝置的圖。

圖7是表示第三實(shí)施方式的等離子處理裝置的圖。

圖8是表示第四實(shí)施方式的等離子處理裝置的圖。

圖9是表示第五實(shí)施方式的等離子處理裝置的圖。

具體實(shí)施方式

·第一實(shí)施方式