[發明專利]電阻式存儲器裝置

在審

• 申請號: 201811072218.2
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN109509497A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 阿圖爾·安東尼楊;表錫洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

本發明提供一種電阻式存儲器裝置，所述電阻式存儲器裝置被配置成響應于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，所述電阻式存儲器裝置包括：單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元；參考電阻電路，被配置成電連接到所述參考單元；偏移電流源電路，被配置成對被提供到所述參考電阻電路的讀取電流加上偏移電流或者從被提供到所述參考電阻電路的所述讀取電流汲取所述偏移電流；以及控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。本發明的電阻式存儲器裝置通過補償存儲單元的電阻的變化來準確地讀取存儲在存儲單元中的值。

[相關申請的交叉參考]

本申請主張在2017年9月15日在韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請第10-2017-0118844號以及在2018年2月20日在韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請第10-2018-0020007號的權利，所述韓國專利申請的公開內容全文并入本申請供參考。

技術領域

本發明概念涉及一種電阻式存儲器裝置，且更具體來說，涉及一種包括參考單元的電阻式存儲器裝置及一種操作電阻式存儲器裝置的方法。

背景技術

電阻式存儲器裝置可將數據存儲在包括可變電阻元件的存儲單元中。為檢測存儲在電阻式存儲器裝置的存儲單元中的數據，舉例來說，可對存儲單元供應讀取電流，且可對由讀取電流以及存儲單元的可變電阻元件引起的電壓進行檢測。

在其中存儲有特定值的存儲單元中，可變電阻元件的電阻可為分散的，且所述分散可能會因工藝電壓溫度(process voltage temperature，PVT)等而發生波動。這種電阻散布的變化可能會干擾對存儲在存儲單元中的值的準確讀取。

發明內容

本發明概念提供一種電阻式存儲器裝置及一種操作所述存儲器裝置以通過補償存儲單元的電阻的變化來準確地讀取存儲在存儲單元中的值的方法。

根據本發明概念的一方面，提供一種電阻式存儲器裝置，所述電阻式存儲器裝置被配置成響應于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，所述電阻式存儲器裝置包括：單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元；參考電阻電路，被配置成電連接到所述參考單元；偏移電流源電路，被配置成對被提供到所述參考電阻電路的讀取電流加上偏移電流或者從被提供到所述參考電阻電路的所述讀取電流汲取所述偏移電流；以及控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。

根據本發明概念的另一方面，提供一種電阻式存儲器裝置，所述電阻式存儲器裝置被配置成響應于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，所述電阻式存儲器裝置包括：單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元，第一讀取電流流過所述存儲單元，參考電流流過所述參考單元；電流源電路，被配置成產生所述第一讀取電流及第二讀取電流；偏移電流源電路，被配置成通過對所述第二讀取電流加上偏移電流或者從所述第二讀取電流汲取所述偏移電流來產生所述參考電流；以及控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。

根據本發明概念的另一方面，提供一種電阻式存儲器裝置，所述電阻式存儲器裝置被配置成響應于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，所述電阻式存儲器裝置包括：單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元，第一讀取電流流過所述存儲單元，第二讀取電流流過所述參考單元；偏移電流源電路，被配置成通過對所述第二讀取電流加上偏移電流或者從所述第二讀取電流汲取所述偏移電流來產生參考電流；參考電阻電路，電連接到所述參考單元，且所述參考電流流過所述參考電阻電路；以及控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，將更清楚地理解本發明概念的示例性實施例，在附圖中：

圖1是示出根據示例性實施例的存儲器裝置及控制器的方塊圖。

圖2是示出根據示例性實施例的圖1所示存儲單元的實例的方塊圖。