[發(fā)明專利]電阻式存儲器裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811072218.2 | 申請日： | 2018-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN109509497A | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿圖爾·安東尼楊;表錫洙 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 劉培培;黃隸凡 |
| 地址： | 韓國京畿道水*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻式存儲器裝置 存儲單元 偏移電流 參考電阻 電路 參考單元 讀取電流 配置 源電路 電阻 補償存儲單元 讀取 單元陣列 讀取命令 控制電路 輸出存儲 電連接 成對 存儲 汲取 響應(yīng) | ||
1.一種電阻式存儲器裝置，被配置成響應(yīng)于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，其特征在于，所述電阻式存儲器裝置包括：
單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元；
參考電阻電路，被配置成電連接到所述參考單元；
偏移電流源電路，被配置成對被提供到所述參考電阻電路的讀取電流加上偏移電流或者從被提供到所述參考電阻電路的所述讀取電流汲取所述偏移電流；以及
控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
所述控制電路還被配置成基于所述電阻式存儲器裝置的溫度來調(diào)整所述偏移電流的量值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
其中所述偏移電流源電路還被配置成根據(jù)控制信號來調(diào)整所述偏移電流的所述量值，
所述控制電路包括：
第一信號產(chǎn)生器，被配置成產(chǎn)生與溫度成比例的第一信號；
第二信號產(chǎn)生器，被配置成產(chǎn)生與溫度成反比的第二信號；以及
組合電路，被配置成將所述控制信號產(chǎn)生為所述第一信號與所述第二信號的加權(quán)和；
其中所述加權(quán)和的權(quán)重是根據(jù)所述存儲單元的所述電阻的溫度變化特性來確定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
所述偏移電流源電路還被配置成根據(jù)控制信號來調(diào)整所述偏移電流的所述量值，且
所述控制電路包括查找表，且還被配置成通過參照所述查找表、根據(jù)所述電阻式存儲器裝置的所述溫度來從溫度信號產(chǎn)生所述控制信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，還包括：
非易失性存儲器，被配置成由所述控制電路進行存取，并存儲處理信息，
其中所述控制電路還被配置成基于所述處理信息來調(diào)整所述偏移電流的量值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
所述控制電路還被配置成基于所述電阻式存儲器裝置的正電源電壓的量值來調(diào)整所述偏移電流的量值。
7.一種電阻式存儲器裝置，被配置成響應(yīng)于讀取命令來輸出存儲在存儲單元中的值，其特征在于，所述電阻式存儲器裝置包括：
單元陣列，包括所述存儲單元及參考單元，第一讀取電流流過所述存儲單元，參考電流流過所述參考單元；
電流源電路，被配置成產(chǎn)生所述第一讀取電流及第二讀取電流；
偏移電流源電路，被配置成通過對所述第二讀取電流加上偏移電流或者從所述第二讀取電流汲取所述偏移電流來產(chǎn)生所述參考電流；以及
控制電路，被配置成控制所述偏移電流源電路來補償所述存儲單元的電阻的變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，還包括：
參考電阻電路，電連接到所述參考單元，且所述參考電流流過所述參考電阻電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
所述控制電路還被配置成基于所述電阻式存儲器裝置的溫度來調(diào)整所述偏移電流的量值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，
所述偏移電流源電路還被配置成根據(jù)控制信號來調(diào)整所述偏移電流的所述量值，且
所述控制電路包括：
第一信號產(chǎn)生器，被配置成產(chǎn)生與溫度成比例的第一信號；
第二信號產(chǎn)生器，被配置成產(chǎn)生與溫度成反比的第二信號；以及
組合電路，被配置成將所述控制信號產(chǎn)生為所述第一信號與所述第二信號的加權(quán)和，
其中所述加權(quán)和的權(quán)重是根據(jù)所述存儲單元的所述電阻的溫度變化特性來確定的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社，未經(jīng)三星電子株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811072218.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
