[發明專利]濺射成膜裝置和濺射成膜方法

在審

• 申請號: 201811070882.3
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN109957773A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 渡部新;竹見崇
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉楊

本發明提供濺射成膜裝置和濺射成膜方法，能夠不用分開不同腔室地成膜2層結構的層疊膜，而且，以均勻的膜厚成膜。一對靶單元在與被處理基板相對移動的方向上隔著規定間隔并列地配置，電源是能夠將極性彼此相反的電壓波形向一對靶單元輸出的雙極電源，在被處理基板上成膜的期間，向一方的靶單元的電極構件至少施加負的波形部分而使其作為陰極發揮功能，向另一方的靶單元的電極構件施加正的波形部分且遮斷負的波形部分而使其作為陽極發揮功能。

技術領域

本發明涉及濺射成膜裝置，特別是涉及將磁鐵配置在靶的背側，且在靶表面附近形成環狀的磁通而捕捉電子從而使等離子體集中的磁控管型的濺射成膜裝置和濺射成膜方法。

背景技術

作為以往的這種濺射成膜裝置，例如公知有如專利文獻1記載那樣的濺射成膜裝置。

即，具備：與基材(被處理基板)相向地配置的一對旋轉陰極(靶單元)；以及分別向各旋轉陰極供給濺射電力的濺射用電源。旋轉陰極具備：筒狀的基座構件；覆蓋基座構件的外周的筒狀的靶；以及被配置在基座構件的內部，在靶的表面形成磁場的磁鐵單元。

一對旋轉陰極隔有一定距離地相向配置在處理空間內，通過從濺射用電源供給電力，在靶的表面附近生成等離子體，并使濺射粒子從兩個旋轉陰極的靶朝向基材的搬送路徑上的被成膜部位飛散，以使基材沿著搬送面搬送并多次通過被成膜部位的方式使基材移動，在基材表面成膜。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017－066427號公報

可是，在專利文獻1的濺射成膜裝置中，雖然公開了兩個旋轉陰極，但是靶是相同的，僅能夠進行1層的成膜，在形成為2層結構的情況下，需要改變靶，在其它的腔室中進行。

此外，例示了作為濺射用電源而使用了DC電源的情況，根據掃描方向位置不同，陰極-陽極的狀況產生變化。即，由于腔室的壁作為陽極發揮功能，在基材端部從陰極側看得見陽極(腔室)，但是在基材中央附近，陽極會被基材遮擋。因此，等離子體集中于基材端部，基材端部的膜厚增加，根據掃描方向位置，膜厚會產生變化。

發明內容

本發明的目的在于，提供能夠不用分開不同腔室地成膜2層結構的層疊膜，而且能夠以均勻的膜厚成膜的濺射成膜裝置和成膜方法。

用于解決課題的技術方案

為了實現上述目的，本發明是濺射成膜裝置，

該濺射成膜裝置具備：

腔室；以及

一對靶單元，在該腔室內能夠與被處理基板相對移動地被配置，

上述靶單元具有靶和從電源被供給電力的電極構件，

上述濺射成膜裝置使上述靶單元與被處理基板相對移動而進行成膜，

其特征在于，

上述一對靶單元在與上述被處理基板相對移動的方向上隔著規定間隔并列地配置，

上述電源是能夠對一對靶單元輸出極性彼此相反的電壓波形的雙極電源，該濺射成膜裝置具備控制部件，該控制部件在上述被處理基板上成膜的期間，對一方的靶單元的電極構件至少施加負的波形部分而使該一方的靶單元的電極作為陰極發揮功能，對另一方的靶單元的電極構件施加正的波形部分，且遮斷負的波形部分而使該另一方的靶單元的電極構件作為陽極發揮功能。

此外，另一發明是濺射成膜方法，

具備：

腔室；以及

一對靶單元，在該腔室內能夠與被處理基板相對移動地被配置，