[發(fā)明專利]濺射成膜裝置和濺射成膜方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811070882.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN109957773A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡部新;竹見崇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能特機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉楊

1.一種濺射成膜裝置，

該濺射成膜裝置具備：

腔室；以及

一對(duì)靶單元，在該腔室內(nèi)能夠與被處理基板相對(duì)移動(dòng)地被配置，

上述靶單元具有靶和從電源被供給電力的電極構(gòu)件，

上述濺射成膜裝置使上述靶單元與被處理基板相對(duì)移動(dòng)而進(jìn)行成膜，

其特征在于，

上述一對(duì)靶單元在與上述被處理基板相對(duì)移動(dòng)的方向上隔著規(guī)定間隔并列地配置，

上述電源是能夠?qū)σ粚?duì)靶單元輸出極性彼此相反的電壓波形的雙極電源，該濺射成膜裝置具備控制部件，該控制部件在上述被處理基板上成膜的期間，對(duì)一方的靶單元的電極構(gòu)件至少施加負(fù)的波形部分而使該一方的靶單元的電極作為陰極發(fā)揮功能，對(duì)另一方的靶單元的電極構(gòu)件施加正的波形部分，且遮斷負(fù)的波形部分而使該另一方的靶單元的電極構(gòu)件作為陽(yáng)極發(fā)揮功能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述電源能夠控制對(duì)第1靶單元和第2靶單元的電壓施加時(shí)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述一對(duì)靶單元的靶分別是不同材料的靶，

使上述一對(duì)靶單元與被處理基板相對(duì)移動(dòng)2次而成膜2層的層疊膜，

控制上述電源的輸出，以使第一層的成膜由一方的靶單元成膜，另一方的靶單元作為陽(yáng)極發(fā)揮功能，第2次的成膜由另一方的靶單元成膜，一方的靶單元作為陽(yáng)極發(fā)揮功能。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述電源的控制部件具備：第1整流部件，遮斷交替地重復(fù)正的電壓和負(fù)的電壓的電壓波形中的、正的波形部分而使負(fù)的波形部分輸出；以及第2整流部件，遮斷負(fù)的波形部分而僅使正的波形部分輸出。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述電源的控制部件進(jìn)行控制，以通過上述第1整流部件向要成膜的一側(cè)的靶單元輸出，通過上述第2整流部件向陽(yáng)極側(cè)的靶單元輸出。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述電源的控制部件進(jìn)行控制，向要成膜的一側(cè)的靶單元輸出正的波形部分和負(fù)的波形部分，通過上述第2整流部件向陽(yáng)極側(cè)的靶單元輸出。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述一對(duì)靶單元的靶是被驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的圓筒狀構(gòu)件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述靶是平板狀構(gòu)件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述靶單元具備在上述靶的與上述被處理基板相向的一側(cè)的表面形成磁場(chǎng)的磁鐵單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射成膜裝置，其特征在于，

上述被處理基板形成EL器件的電極。

11.一種濺射成膜方法，

具備：

腔室；以及

一對(duì)靶單元，在該腔室內(nèi)能夠與被處理基板相對(duì)移動(dòng)地被配置，

上述靶單元具有靶和從電源被供給電力的電極構(gòu)件，

上述濺射成膜方法使上述靶單元與被處理基板相對(duì)移動(dòng)而進(jìn)行成膜，

其特征在于，

上述一對(duì)靶單元在與上述被處理基板相對(duì)移動(dòng)的方向上隔著規(guī)定間隔并列地配置，

上述電源是能夠?qū)σ粚?duì)靶單元輸出極性彼此相反的電壓波形的雙極電源，在上述被處理基板上成膜的期間，對(duì)一方的靶單元的電極構(gòu)件至少施加負(fù)的波形部分而使該一方的靶單元的電極作為陰極發(fā)揮功能，對(duì)另一方的靶單元的電極構(gòu)件施加正的波形部分，且遮斷負(fù)的波形部分而使該另一方的靶單元的電極構(gòu)件作為陽(yáng)極發(fā)揮功能。