[發明專利]一種寬譜帶發射近紅外發光物質及包含該物質的發光器件

有效

• 申請號: 201811070050.1
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN108865139B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 解榮軍;劉榮輝;曾華濤;周天亮;劉元紅
• 申請（專利權）人: 廈門大學;有研稀土新材料股份有限公司
• 主分類號: C09K11/78
• 分類號: C09K11/78;C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 北京智橋聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 11560
• 代理人: 段嘯冉

1.一種寬譜帶發射近紅外發光物質，其特征在于，該發光物質包括分子式為A_aD_bM_cO_e:xCr的無機化合物，其中，

A元素包括La和/或Y元素；

D元素包括Hf元素，并可選擇性的添加Zr元素或Sn元素；且所述D元素中，所述Hf元素占所述D元素的摩爾百分比為80％-100％；

M元素包括Ga、Al或Sc元素中的一種或兩種；

且所述參數a、b、c、e和x滿足如下條件：2.8≤a≤3.2；0.9≤b≤1.1；4.5≤c≤5.5；13.5≤e≤14.5；0.002≤x≤0.2。

2.根據權利要求1所述的寬譜帶發射近紅外發光物質，其特征在于，所述D元素占據該材料晶體學八面體位置，所述M元素占據該材料晶體學四面體位置，所述發光物質為四面體/八面體占位嚴格有序的晶體結構。

3.根據權利要求2所述的寬譜帶發射近紅外發光物質，其特征在于，所述Cr元素包括Cr³⁺離子和Cr⁴⁺離子。

4.根據權利要求3所述的寬譜帶發射近紅外發光物質，其特征在于，所述Cr³⁺離子占據所述D元素所在的晶體學位置，所述Cr⁴⁺離子占據所述M元素所在的晶體學位置。

5.根據權利要求1-4任一項所述的寬譜帶發射近紅外發光物質，其特征在于，所述A元素為La元素，所述D元素為Hf元素，所述M元素為Ga元素。

6.一種制備權利要求1-5任一項所述的寬譜帶發射近紅外發光物質的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)以選定的A、D、M、Cr元素所對應的化合物，按選定的化學計量比混合均勻，得到混合體；

(2)將所得混合體于800-1100℃，在空氣氣氛下進行燒結4-24小時，獲得焙燒產物；

(3)將所得焙燒產物重新粉碎后，并將所得粉末在氫氣、氮氣/氫氣混合氣、一氧化碳或氨氣氣氛下進行燒結4-24小時，經常規處理，得到所需的發光物質。

7.一種發光器件，至少包含發光光源和熒光體，其特征在于，所述熒光體至少包括權利要求1-5中任一項所述的寬譜帶發射近紅外發光物質。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其特征在于，所述熒光體還包含具有如Y_3-yGa_5-xO₁₂:xCr,yYb、Y_3-xAl₅O₁₂:x(Ce,Nd)、La₃GeGa_5-xO₁₄:xCr、La_3-xSi₆N₁₁:x(Ce,Er)或Ca_xSr_1-x-yAlSiN₃:y(Er,Ce,Eu)所示化學式的近紅外發光材料。

9.根據權利要求7或8所述的發光器件，其特征在于，所述發光光源包括發光二極管、激光二極管或有機EL發光器件。