[發明專利]一種新型管狀ITO靶材的制備方法

在審

• 申請號: 201811068187.3
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN109354490A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 劉洪浩
• 申請（專利權）人: 江蘇比昂電子材料有限公司
• 主分類號: C04B35/457
• 分類號: C04B35/457;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 蘇州市指南針專利代理事務所(特殊普通合伙) 32268
• 代理人: 馮現偉

本發明公開了一種新型管狀ITO靶材的制備方法，其特征在于：所述ITO粉末以銦錠和四氯化錫為原料，通過工序制備得到重量百分比In2O3:SnO2＝96:3、純度≥99.98％、粒度為0.7～1.5μm的ITO，所述ITO粉末通過化學共沉淀、脫水、煅燒及球磨的工序制備而成，通過化學共沉淀、脫水、煅燒及球磨等現有技術對原料進行處理得到ITO粉，再通過對ITO粉進行真空燒結、降溫制備得到ITO靶材，方法簡單，操作方便，便于推廣使用，從而在制備中不容易出現管狀ITO靶材組織的偏析現象，晶粒不是很微細均勻，純度也不是很高的問題，并且具有尺寸大型化制作、高密度化、符合多種領域的使用，這樣提高了管狀ITO靶材的領域使用，從而具有很好的市場競爭力度，不容易被市場所淘汰。

技術領域

本發明屬于相關ITO靶材技術領域，具體涉及一種新型管狀ITO靶材的制 備方法。

背景技術

ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經過一系列的生產工 藝加工成型，再高溫氣氛燒結1600度，通氧氣燒結形成的黑灰色陶瓷半導體。 ito薄膜是利用ITO靶材作為原材料，通過磁控濺射把ITO靶氣化濺渡到玻璃基 板或柔性有機薄膜上。ITO薄膜具有導電性和透光性，厚度一般30納米--200 納米。

現有的管狀ITO靶材技術存在以下問題：現有的管狀ITO靶材在制備的時 候，容易造成管狀ITO靶材組織的偏析現象，晶粒不是很微細均勻，純度也不 是很高，從而不具有尺寸大型化、高密度化、使用率不是很高，這樣使得管狀 ITO靶材應用區域減少，沒有很好的市場競爭力度，容易被市場所淘汰。

發明內容

本發明的目的在于提供一種新型管狀ITO靶材的制備方法，以解決上述背景 技術中提出的現有的管狀ITO靶材在制備的時候，容易造成管狀ITO靶材組織的 偏析現象，晶粒不是很微細均勻，純度也不是很高，從而不具有尺寸大型化、 高密度化、使用率不是很高，這樣使得管狀ITO靶材應用區域減少，沒有很好的 市場競爭力度，容易被市場所淘汰的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種新型管狀ITO靶材的制備方法，其特征在于：所述ITO粉末以銦錠和 四氯化錫為原料，通過工序制備得到重量百分比In2O3:SnO2＝96:3、純度≥99.98％、粒度為0.7～1.5μm的ITO。

優選的，所述ITO粉末通過化學共沉淀、脫水、煅燒及球磨的工序制備而成。

優選的，所述ITO粉末裝入到制備容器中，從而經過工序制備得到管狀ITO 靶材，ITO粉末與容器之間設置有隔離材料，所述隔離材料可以是石墨紙和氮化 硼陶瓷材料等其它材料。

優選的，所述ITO粉末在加熱真空環境下進行制備，所述加熱真空抽氣是在 400-1100℃條件下進行抽氣，從而將內部真空度調節到10-2Pa～10-4Pa之間， 而最低的真空度為10-1Pa以上。

優選的，所述ITO粉末在制備容器中進行加熱真空抽氣處理前，應對加入容 器的ITO粉末進行振實處理，而ITO粉末的計算振實密度為4.50～5.00g/cm3。

優選的，所述熱等靜壓處理的溫度為1000-1100℃，壓力為100-200Mpa， 保溫保壓時間為3～12h。

優選的，所述ITO粉末是通過如下方法制備得到的：合成后，首先打磨ITO 表面除去異物，再用無水酒精擦洗2～3次，然后在純水中經超聲波清洗2～3次， 清洗后采用真空干燥或熱風干燥進行干燥處理，最后采用顎式或離心式破碎機 對干燥后的ITO進行破碎，并采用100目的不銹鋼篩網進行過篩，得到ITO粉末。