[發明專利]一種硅片高效制絨方法

在審

• 申請號: 201811067600.4
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN109244185A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 李曉東;姚譯敏
• 申請（專利權）人: 江蘇又一城智能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 顧進

本發明提供了一種硅片高效制絨方法，包括如下步驟：a）雜質清洗；b）有機物清洗；c）配置制絨液；d）硅片制絨；e）成品清洗。與現有技術相比，本發明的有益效果在于：通過擦洗可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜；采用濃堿液高溫下對硅片進行快速腐蝕，損傷層存在時，腐蝕速率可達5μm/min，損傷層去除后，腐蝕速率約為1.2μm/min，使得硅片表面的臟污和顆粒可完全脫落進入熔液，保證了硅片的表面清洗效果；通過水解生成的原硅酸，以及IPA可對硅片表面的有機物進行去除；最后通過采用H₂O₂和KOH混合溶液，可清洗制絨后的硅片表面殘留物，提高產品質量。

技術領域

本發明涉及硅片制絨技術領域，尤其涉及一種硅片高效制絨方法。

背景技術

硅片在經過一系列的加工程序之后需要進行清洗，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各類污染物，并制作能夠減少表面太陽光反射的絨面結構，且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率，制絨是制造晶硅電池的第一道工藝，又稱“表面織構化”。

目前，現有的硅片制絨效果差，產品質量難以保證。

發明內容

為解決上述問題，本發明公開了一種硅片高效制絨方法，有效提高了制絨質量。

為了達到以上目的，本發明提供如下技術方案：

一種硅片高效制絨方法，其特征在于：包括如下步驟：

a）雜質清洗：首先對硅片的表面進行擦洗，隨后準備超聲波清洗池，并在池內盛放NaQH溶液，接著將硅片放入超聲波清洗池內，控制控制頻率23000～26000Hz，溫度65～70℃，清洗2～3min；

b）有機物清洗：首先準備清洗池，并在清洗池內放入Na₂SiO₃和IPA，然后將步驟a）中的硅片放入清洗池內，控制溫度62～66℃，清洗2～3min；

c）配置制絨液：在氫氧化鈉溶液中添加異丙醇，并備用；

d）硅片制絨：首先將制絨液盛放在水槽內，并控制溫度75～80℃，隨后將步驟b）中的硅片放入水槽內，浸泡20～22min取出；

e）成品清洗：用濃度1.2～2%的H₂O₂和濃度0.5～0.6%的KOH混合溶液對步驟d）處理后的硅片進行清洗，最后干燥，得到制絨好的硅片。

進一步的，所述步驟a）中的NaQH溶液的濃度為10％。

進一步的，所述步驟b)中的Na₂SiO₃的質量為1000g，IPA為4L。

進一步的，所述制絨液中氫氧化鈉：異丙醇的質量百分比為1:50～1:80。

與現有技術相比，本發明的有益效果在于：通過擦洗可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜；采用濃堿液高溫下對硅片進行快速腐蝕，損傷層存在時，腐蝕速率可達5μm/min，損傷層去除后，腐蝕速率約為1.2μm/min，使得硅片表面的臟污和顆粒可完全脫落進入熔液，保證了硅片的表面清洗效果；通過水解生成的原硅酸，以及IPA可對硅片表面的有機物進行去除；最后通過采用H₂O₂和KOH混合溶液，可清洗制絨后的硅片表面殘留物，提高產品質量。

具體實施方式

下面結合具體實施方式，進一步闡明本發明，應理解下述具體實施方式僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。

實施例1

一種硅片高效制絨方法，其特征在于：包括如下步驟：