[發(fā)明專利]一種硅片高效制絨方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811067600.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109244185A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李曉東;姚譯敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇又一城智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司: | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 顧進(jìn) |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 硅片表面 制絨 損傷層 腐蝕 去除 有機(jī)物清洗 表面清洗 硅片制絨 混合溶液 顆粒污染 雜質(zhì)清洗 有機(jī)物 可清洗 濃堿液 原硅酸 制絨液 擦洗 熔液 水解 臟污 薄膜 清洗 配置 保證 | ||
1.一種硅片高效制絨方法,其特征在于:包括如下步驟:
a)雜質(zhì)清洗:首先對(duì)硅片的表面進(jìn)行擦洗,隨后準(zhǔn)備超聲波清洗池,并在池內(nèi)盛放NaQH溶液,接著將硅片放入超聲波清洗池內(nèi),控制控制頻率23000~26000Hz,溫度65~70℃,清洗2~3min;
b)有機(jī)物清洗:首先準(zhǔn)備清洗池,并在清洗池內(nèi)放入Na2SiO3和IPA,然后將步驟a)中的硅片放入清洗池內(nèi),控制溫度62~66℃,清洗2~3min;
c)配置制絨液:在氫氧化鈉溶液中添加異丙醇,并備用;
d)硅片制絨:首先將制絨液盛放在水槽內(nèi),并控制溫度75~80℃,隨后將步驟b)中的硅片放入水槽內(nèi),浸泡20~22min取出;
e)成品清洗:用濃度1.2~2%的H2O2和濃度0.5~0.6%的KOH混合溶液對(duì)步驟d)處理后的硅片進(jìn)行清洗,最后干燥,得到制絨好的硅片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片高效制絨方法,其特征在于:所述步驟a)中的NaQH溶液的濃度為10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片高效制絨方法,其特征在于:所述步驟b)中的Na2SiO3的質(zhì)量為1000g,IPA為4L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片高效制絨方法,其特征在于:所述制絨液中氫氧化鈉:異丙醇的質(zhì)量百分比為1:50~1:80。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





