[發明專利]用于檢查多個測量物體的材料屬性的設備

在審

• 申請號: 201811066403.0
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN109507190A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 安泰興;金英德;樸相吉;樸峻范;巖陽一郎;田炳煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

一種檢查設備包括光源。第一測量單元被配置為接收來自光源的光并將其引導到第一測量物體。第二測量單元被配置為接收來自光源的光并將其引導到第二測量物體。檢查單元被配置為接收從第一測量單元提供的第一光信號并且使用第一光信號檢查第一測量物體，并且接收從第二測量單元提供的第二光信號并且使用第二光信號檢查第二測量物體。測量位置選擇單元被配置為通過調整反射鏡的角度來交替地啟用兩個測量單元的檢查。

本申請主張于2017年9月14日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2017-0117983的優先權，通過引用將該申請的公開內容全部并入本文。

技術領域

本申請涉及檢查設備，更具體地，涉及用于檢查多個測量物體的材料特性的設備。

背景技術

通常，通過加工(fabrication，“fab”)過程來制造半導體裝置，其中包括電部件的電路在所述加工過程中被形成在硅晶片上，所述硅晶片被用作半導體基底。在加工之后，可以執行電子基片揀選(electrical die sorting，EDS)過程以檢查在加工過程中形成的半導體裝置的電特性。然后可以執行封裝組裝過程以用環氧樹脂包封半導體裝置中的每一個并且個體化半導體裝置。

加工過程通常包括沉積過程，通過該沉積過程將薄膜形成在半導體基底上。執行化學機械拋光以使所述薄膜光滑。執行光刻過程以在薄膜上形成光阻圖案。執行蝕刻過程以使用光阻圖案將薄膜形成為具有電特性的圖案。執行離子注入過程以將特定離子注入到半導體基底的預定區域中。執行清理過程以從半導體基底去除雜質。執行檢查過程以檢查其上形成有薄膜或圖案的半導體基底的表面。

半導體基底的缺陷(比如殘留在半導體基底上的外來物質)可能降低半導體裝置的操作性能和生產率。

發明內容

一種檢查設備包括產生第一光的光源。第一測量單元被配置為接收來自光源的第一光并將第一光引導到第一測量物體。第二測量單元被配置為接收來自光源的第一光并將第一光引導到與第一測量物體不同的第二測量物體。檢查單元被配置為接收沿著第一光學路徑從第一測量單元提供的第一光信號并使用第一光信號檢查第一測量物體，并且接收沿著與第一光學路徑不同的第二光學路徑從第二測量單元提供的第二光信號并使用第二光信號檢查第二測量物體。測量位置選擇單元被配置為通過調整反射鏡的角度來交替地啟用所述一個光學路徑和第二光學路徑。

檢查設備包括第一測量物體設置在其中的第一測量單元。第一測量單元包括被配置為將第一光提供到第一測量物體的第一照明單元和被配置為接收穿過第一測量物體的第一光的第一光接收單元。第二測量物體設置在其中的第二測量單元包括被配置為將第二光提供到第二測量物體的第二照明單元和被配置為接收穿過第二測量物體的第二光的第二光接收單元。檢查單元被配置為接收從第一測量單元提供的第一光信號并且據此檢查第一測量物體，并且接收從第二測量單元提供的第二光信號并且據此檢查第二測量物體。反射鏡被配置為將第一光信號或第二光信號引導到所述檢查單元。控制單元被配置為控制驅動單元以調整所述反射鏡的角度。

檢查設備包括被配置為將光引導到第一測量物體的第一測量單元。第二測量單元被配置為將所述光引導到第二測量物體。檢查單元被配置為檢查第一測量物體和檢查第二測量物體。測量位置選擇單元被配置為通過調整反射鏡的角度來交替地將來自第一測量單元的第一光信號提供到所述檢查單元和將來自第二測量單元的第二光信號提供到所述檢查單元。

附圖說明

在結合附圖進行考慮時，通過參考下文的詳細描述，由于本公開的更全面的理解和其關注的許多方面變得更好理解，將更容易獲得本公開的更全面的理解和其關注的許多方面。

圖1是示意了根據本公開一些示例性實施例的用于檢查材料屬性的設備的簡圖；

圖2是示意了根據本公開一些示例性實施例的用于使用用于檢查材料屬性的設備來檢查材料屬性的方法的流程圖；