[發明專利]一種涂布機構以及在硅片上涂布HMDS的方法有效

申請號：	201811064491.0	申請日：	2018-09-12
公開（公告）號：	CN109283794B	公開（公告）日：	2022-04-22
發明（設計）人：	吳林;張辰明	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	G03F7/16	分類號：	G03F7/16
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	智云
地址：	201203 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種機構以及硅片上涂布 hmds 方法
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【說明書】：

本發明提供了一種涂布機構和在硅片上涂布HMDS的方法，所述涂布機構包括涂布通道機構，所述涂布通道機構包括中央通道和周邊通道，所述中央通道用于對硅片的中心區域進行涂布，所述周邊通道用于對硅片的周邊區域進行涂布，而且對硅片中心區域和周邊區域的涂布是分步進行的，如此便可避免HMDS氣體重復在硅片中心區域進行涂布，而周邊區域涂布不到位的問題，也從一定程度上減少了HMDS從中心區域擴散到周邊區域的時間，從而減少了制程的總時間。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種涂布機構以及在硅片上涂布HMDS的方法。

背景技術

在光刻制程中，光阻在硅片上附著情況直接決定了關鍵圖形的形成，光阻附著差會導致剝膠等嚴重的缺陷，經研究發現良好的附著力要求硅片接觸角大于65度才能使光阻在硅片上附著符合制程要求，目前光阻涂布機采用氣相六甲基二硅胺(HMDS)來提高硅片接觸角從而提高光阻與硅片的附著力，如圖1所示。

影響HMDS涂布性能的基本因素主要有硬件設計、HMDS批次、制程溫度、制程時間和襯底等，除此之外，較為關鍵的是如何在硅片上形成均勻的HMDS分子層和硅片結合以確保硅片表面接觸角滿足制程需求。

目前光刻膠涂布機臺都有涂布HMDS的機構，如圖2所示，該機構功能是將HMDS氣化，然后將HMDS氣體噴出與硅片結合來提高光阻與硅片的附著力，通常該機構將HMDS氣體通過硅片上方中央單孔排出并涂布在硅片上，但在具體制程中，需要耗費較長制程時間來確保硅片周邊HMDS涂布滿足要求；如果制程時間不足會導致關鍵圖形在烘烤后中央向邊緣的附著力不同，會在后續制程中發生圖形剝落形成缺陷，HMDS形成的均勻性對關鍵圖形附著至關重要，關鍵圖形附著的差異直接關系圖形的形成從而直接影響到器件的成品率。

同時，隨著器件不斷縮小，對于HMDS氣體的潔凈的要求也不斷提高，故有必要研究一種高效的設計方案來提高HMDS在硅片上的附著力以及確保涂布在硅片上的HMDS潔凈。

發明內容

本發明的目的在于提供一種涂布機構以及在硅片上涂布HMDS的方法，以減少在硅片上執行HMDS涂布工藝的制程時間。

為解決上述技術問題，本發明提供一種涂布機構，用于對硅片執行涂布工藝，所述涂布機構包括：

涂布腔；

承盤，所述承盤位于所述涂布腔內，用于放置硅片；

送氣管道，所述送氣管道出口與所述涂布腔連通，用于輸送氣體以對所述硅片進行涂布；

排氣管道，所述排氣管道入口與所述涂布腔連通，用于排出對所述硅片進行涂布后多余的氣體；

涂布通道機構，所述涂布通道機構位于所述涂布腔內且位于所述送氣管道出口的下方以及所述排氣管道入口的上方，與所述涂布腔的底面保持平行，所述涂布通道機構包括中央通道和周邊通道，用于對所述硅片進行涂布的位置進行限定。

可選地，在所述的涂布機構中，所述中央通道呈圓柱型。

可選地，在所述的涂布機構中，所述中央通道的橫截面半徑為0.5cm～10cm。

可選地，在所述的涂布機構中，所述周邊通道以一定距離圍繞所述中央通道且向背離所述涂布腔中心的方向傾斜。