[發明專利]一種涂布機構以及在硅片上涂布HMDS的方法

有效

• 申請號: 201811064491.0
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109283794B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 吳林;張辰明
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種涂布機構，用于對硅片執行涂布工藝，其特征在于，所述涂布機構包括：

涂布腔；

承盤，所述承盤位于所述涂布腔內，用于放置硅片；

送氣管道，所述送氣管道出口與所述涂布腔連通，用于輸送氣體以對所述硅片進行涂布；

排氣管道，所述排氣管道入口與所述涂布腔連通，用于排出對所述硅片進行涂布后多余的氣體；

涂布通道機構，所述涂布通道機構位于所述涂布腔內且位于所述送氣管道出口的下方以及所述排氣管道入口的上方，與所述涂布腔的底面保持平行，所述涂布通道機構包括中央通道和周邊通道，用于對所述硅片進行涂布的位置進行限定；其中，所述中央通道對準所述承盤，所述周邊通道圍繞所述中央通道設置。

2.如權利要求1所述的涂布機構，其特征在于，所述中央通道呈圓柱型。

3.如權利要求2所述的涂布機構，其特征在于，所述中央通道的橫截面半徑為0.5cm～10cm。

4.如權利要求2所述的涂布機構，其特征在于，所述周邊通道以一定距離圍繞所述中央通道且向背離所述涂布腔中心的方向傾斜。

5.如權利要求4所述的涂布機構，其特征在于，所述周邊通道與所述涂布腔底面所成的銳角角度范圍為30°～80°。

6.如權利要求3所述的涂布機構，其特征在于，所述周邊通道的橫截面呈圓環狀，圓環寬度為0.5cm～5cm。

7.如權利要求1所述的涂布機構，其特征在于，所述涂布腔呈圓柱型或立方型；所述送氣管道通過所述涂布腔的頂壁中心與所述涂布腔連通；所述排氣管道通過所述涂布腔的側壁與所述涂布腔連通且所述排氣管道入口位于所述承盤的下方。

8.如權利要求7所述的涂布機構，其特征在于，所述涂布腔包括上腔蓋和下腔體，所述上腔蓋和所述下腔體互相貼合，所述送氣管道通過所述上腔蓋的中心與所述涂布腔連通，所述排氣管道通過所述下腔體的側壁與所述涂布腔連通；所述涂布通道機構固定在所述上腔蓋內壁上。

9.如權利要求8所述的涂布機構，其特征在于，所述承盤上設有一個或多個限位件，用于限定所述硅片的放置位置；所述承盤下設有一個或多個支撐件，用于支撐所述承盤。

10.如權利要求1～9中任一項所述的涂布機構，其特征在于，所述涂布機構還包括過濾裝置，所述過濾裝置位于所述中央通道和所述周邊通道內，用于過濾氣體中的雜質。

11.一種利用如權利要求1～10中任意一項所述的涂布機構在硅片上涂布HMDS的方法，其特征在于，所述方法包括：

將硅片放置在所述涂布腔內；

打開所述中央通道，輸送HMDS氣體以對硅片中央區域進行涂布，經過時間T1后排出多余的HMDS氣體；

打開所述周邊通道，輸送HMDS氣體以對硅片周邊進行涂布，經過時間T2后排出多余的HMDS氣體。