[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811063187.4 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109244203A | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 顧俊;胡任浩;韋春余;胡加輝;周飚 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低溫GaN層 發(fā)光二極管 晶格常數(shù) 晶格失配 外延片 晶胞 制備 生長 表面平整性 發(fā)光效率 晶體缺陷 層結(jié)構(gòu) 外延層 原有的 減小 保證 緩解 制造 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底及依次層疊設(shè)置在所述襯底上的AlN層、InxAl1-xN層、低溫GaN層、未摻雜GaN層、N型GaN層、有源層及P型GaN層，其中，0.16≤x≤0.18，所述AlN層的厚度為5～10nm，所述InxAl1-xN層的厚度為20～30nm，所述低溫GaN層的厚度為20～30nm。
2.一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長AlN層，所述AlN層的厚度為5～10nm；
在所述AlN層上生長InxAl1-xN層，其中，0.16≤x≤0.18，所述InxAl1-xN層的厚度為20～30nm；
在所述InxAl1-xN層上生長低溫GaN層，所述低溫GaN層的厚度為20～30nm；
在所述低溫GaN層上生長未摻雜GaN層；
在所述未摻雜GaN層上生長N型GaN層；
在所述N型GaN層上生長有源層；
在所述有源層上生長P型GaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在生長所述InxAl1-xN層時，向反應(yīng)腔內(nèi)通入氣態(tài)Al與氣態(tài)In，向所述反應(yīng)腔內(nèi)通入的氣態(tài)Al與向所述反應(yīng)腔內(nèi)通入的氣態(tài)In的比例為1:0.25～1:0.28。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在生長所述InxAl1-xN層時：
向反應(yīng)腔內(nèi)通入50～100sccm的氣態(tài)Al。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在生長所述InxAl1-xN層時：
向所述反應(yīng)腔內(nèi)通入100～120sccm的氣態(tài)In。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述AlN層的生長溫度為450～700℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述InxAl1-xN層的生長溫度為500～600℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求2～5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述AlN層的生長壓力與所述InxAl1-xN層的生長壓力均為30～100Torr。
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