[發(fā)明專利]加工設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811063123.4
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109817547A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇賢纮;王宸詠;李家銘
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開部分實施例提供一種加工設(shè)備。加工設(shè)備包括具有氣體出口的一晶圓加工腔。加工設(shè)備還包括配置用于抽空晶圓加工腔的一泵。泵包括位于一下側(cè)邊界面的一入口端。晶圓加工腔的氣體出口沿著穿過下側(cè)邊界面的流動軸線延伸。加工設(shè)備還包括一排氣管道，排氣管道與晶圓加工腔的一氣體出口和泵的一入口端流體連通。排氣管道包括一犧牲管狀結(jié)構(gòu)。犧牲管狀結(jié)構(gòu)沿相對于下側(cè)邊界面傾斜的一通道軸線延伸，并包括面向泵的入口端的內(nèi)表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明部分實施例涉及一種加工設(shè)備，特別涉及一種具有抽真空的泵的加工設(shè)備。

背景技術(shù)

半導體集成電路工業(yè)已歷經(jīng)蓬勃發(fā)展的階段。集成電路材料及設(shè)計在技術(shù)上的進步使得每一代生產(chǎn)的集成電路變得比先前生產(chǎn)的集成電路更小且其電路也變得更復雜。在集成電路發(fā)展的進程中，功能性密度(例如：每一個芯片區(qū)域中內(nèi)連接裝置的數(shù)目)已經(jīng)普遍增加，而幾何尺寸(例如：工藝中所能創(chuàng)造出最小的元件(或線路))則是普遍下降。這種微縮化的過程通常可通過增加生產(chǎn)效率及降低相關(guān)支出提供許多利益。

舉例來說，對于使用較高分辨率的光刻工藝的需求成長。一種光刻技術(shù)是稱為極紫外光刻技術(shù)(extreme ultraviolet lithography,EUVL)，EUVL使用具有約800nm波長的極紫外(EUV)區(qū)域的光的掃描儀。一種EUV光源是激光產(chǎn)生等離子體(laser-producedplasma，LPP)。LPP技術(shù)通過將高功率激光聚焦到小型燃料液滴上來產(chǎn)生EUV光，以形成高電離等離子體以發(fā)射EUV輻射，最大發(fā)射峰值為13.5nm。然后EUV光被收集器收集并由光學元件反射到光刻曝光物體，例如晶圓。

雖然現(xiàn)有的產(chǎn)生極紫外光的方法及裝置已經(jīng)可足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，仍需要一種從輸入能量增加能源轉(zhuǎn)換效率予離子化的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本公開部分實施例提供一種加工設(shè)備。加工設(shè)備包括具有氣體出口的一晶圓加工腔。加工設(shè)備還包括配置用于抽空晶圓加工腔的一泵。泵包括位于一下側(cè)邊界面的一入口端。晶圓加工腔的氣體出口沿著穿過下側(cè)邊界面的流動軸線延伸。加工設(shè)備還包括一排氣管道，排氣管道與晶圓加工腔的一氣體出口和泵的一入口端流體連通。排氣管道包括一犧牲管狀結(jié)構(gòu)。犧牲管狀結(jié)構(gòu)沿相對于下側(cè)邊界面傾斜的一通道軸線延伸，并包括面向泵的入口端的內(nèi)表面。

本公開另一些實施例提供一種加工設(shè)備。加工設(shè)備包括一晶圓加工腔。加工設(shè)備還包括一泵。泵配置用于對晶圓加工腔產(chǎn)生真空。加工設(shè)備還包括一排氣管道。排氣管道與晶圓加工腔和泵流體連通。排氣管道包括一上側(cè)開口和一下側(cè)開口。下側(cè)開口連接到泵并位于下側(cè)邊界面上。上側(cè)開口連接到晶圓加工腔，并且上側(cè)開口在下側(cè)邊界面上的投影與下側(cè)開口偏移。

本公開另一些實施例提供一種加工設(shè)備。加工設(shè)備包括一晶圓加工腔。加工設(shè)備還包括一泵。泵配置用于對晶圓加工腔產(chǎn)生真空。加工設(shè)備還包括一排氣管道。排氣管道與晶圓加工腔流體連通。排氣管道包括多個按序排列的管狀結(jié)構(gòu)。緊鄰的管狀結(jié)構(gòu)中的至少兩個沿相應的通道軸線延伸，上述通道軸線以約55度至約60度的角度相交。

附圖說明

根據(jù)以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據(jù)本產(chǎn)業(yè)的一般作業(yè)，附圖并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明：

圖1顯示根據(jù)本公開的部分實施例的一加工設(shè)備的示意圖。

圖2顯示根據(jù)部分實施例中一排氣管道的示意圖。

圖3顯示根據(jù)部分實施例中一排氣管道沿著圖2的平面EP所視的剖面圖。

圖4顯示根據(jù)部分實施例的一排氣管道的剖面圖。

圖5顯示根據(jù)部分實施例的一排氣管道的剖面圖。

附圖標記說明：

1～加工設(shè)備