[發(fā)明專利]一種少層單晶氧化亞錫及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811062169.4 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109402735B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 寧洪龍;鄧培淼;謝偉廣;姚日暉;劉賢哲;何銳輝;袁煒健;鄧宇熹;張嘯塵;彭俊彪 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;H01L29/24 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 少層單晶 氧化 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明屬于場效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種少層單晶氧化亞錫及其制備方法與應(yīng)用。所述少層單晶氧化亞錫的制備方法包括以下步驟：以晶粒尺寸大于100μm的三維單晶氧化亞錫為原料，將其均勻灑在膠帶的一部分上；將膠帶中灑有所述三維單晶氧化亞錫的部分與空白部分對折擠壓，然后撕開，重復(fù)所述對折擠壓和撕開操作直至得到所述少層單晶氧化亞錫。所述少層單晶氧化亞錫可用于制備場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明采用的方法實驗操作簡單，所需的藥品以及實驗儀器都是普通常見的，不需要作特殊處理。并且所制得的少層單晶SnO不易受到污染，形狀規(guī)則，可以有效改善場效應(yīng)晶體管的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于場效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種少層單晶氧化亞錫及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)，是一種在顯示器中應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件，多用作主動式矩陣液晶顯示屏(AMLCD)和有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)像素電路的重要元件。
氧化亞錫(SnO)屬于P型半導(dǎo)體，且具有二維層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間以范德華力連接，范德華力間距為光學(xué)帶隙為2.7eV。氧化亞錫空穴由Sn空位產(chǎn)生，空穴傳輸通道由Sn5s軌道與O2p軌道雜化形成，與其他P型金屬氧化物相比，氧化亞錫具有一種更分散的載流子傳輸通道，因此，對于氧化亞錫的研究引起了科學(xué)界的普遍關(guān)注。目前制備氧化亞錫(SnO)薄膜常用的方法有：原子層沉積(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)，電子束蒸發(fā)(Electron Beam Evaporation，簡稱EBE)，脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition，簡稱PLD)，射頻(直流)磁控濺射(Radio-frequency(Direct current)Magnetron Sputtering，簡稱RF(DC)MS)，熱蒸發(fā)(Thermal Evaporation，簡稱TE)。采用這些方法制備的氧化亞錫通常是納米晶粒或者是多晶，很難制備少層單晶氧化亞錫。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述的缺點和不足之處，本發(fā)明的目的是提供一種少層單晶氧化亞錫及其制備方法，以及提供所述少層單晶氧化亞錫的應(yīng)用，即提供一種包含所述少層單晶氧化亞錫的場效應(yīng)晶體管。
本發(fā)明目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：
一種少層單晶氧化亞錫的制備方法，包括以下步驟：
以晶粒尺寸大于100μm的三維單晶氧化亞錫為原料，將其均勻灑在膠帶的一部分上；將膠帶中灑有所述三維單晶氧化亞錫的部分與空白部分對折擠壓，然后撕開，重復(fù)所述對折擠壓和撕開操作直至得到所述少層單晶氧化亞錫。
所述三維單晶氧化亞錫可以本領(lǐng)域任意的常用方法制得，例如可以SnCl2·2H2O(二水合氯化亞錫)作為原料，進行酸堿中和后離心得到所述三維單晶氧化亞錫，具體步驟為：將SnCl2·2H2O溶于HCl溶液得到pH值范圍為0.7-1.2的混合溶液，其中所述HCl溶液濃度范圍為0.16-0.2mol/L；隨后添加氫氧化鈉溶液使混合溶液的pH值上升至11.5-12.5；將混合溶液超聲3h后離心得到所述三維單晶氧化亞錫，其中離心轉(zhuǎn)速為8000r/min，離心時間為10min。
所述對折擠壓和撕開操作一般需重復(fù)20次左右。
優(yōu)選的，所述膠帶型號為3M Scotch 600。
一種少層單晶氧化亞錫，通過上述制備方法制備得到。
一種場效應(yīng)晶體管，從下到上依次包括：襯底、所述少層單晶氧化亞錫、源極和漏極。
優(yōu)選的，所述襯底為摻二氧化硅的硅片。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點及有益效果：
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