[發明專利]一種少層單晶氧化亞錫及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201811062169.4 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109402735B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;鄧培淼;謝偉廣;姚日暉;劉賢哲;何銳輝;袁煒健;鄧宇熹;張嘯塵;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;H01L29/24 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 少層單晶 氧化 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種少層單晶氧化亞錫的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
以晶粒尺寸大于100μm的三維單晶氧化亞錫為原料，將其均勻灑在膠帶的一部分上；將膠帶中灑有所述三維單晶氧化亞錫的部分與空白部分對折擠壓，然后撕開，重復所述對折擠壓和撕開操作直至得到所述少層單晶氧化亞錫；
其中所述三維單晶氧化亞錫的具體制備步驟為：將SnCl2·2H2O溶于HCl溶液得到pH值范圍為0.7-1.2的混合溶液，其中所述HCl溶液濃度范圍為0.16-0.2mol/L；隨后添加NaOH溶液使混合溶液的pH值上升至11.5-12.5；將混合溶液超聲3h后離心得到所述三維單晶氧化亞錫。
2.根據權利要求1所述的一種少層單晶氧化亞錫的制備方法，其特征在于，所述離心轉速為8000r/min，離心時間為10min。
3.根據權利要求1所述的一種少層單晶氧化亞錫的制備方法，其特征在于，所述對折擠壓和撕開操作重復20次。
4. 根據權利要求1所述的一種少層單晶氧化亞錫的制備方法，其特征在于，所述膠帶型號為3M Scotch 600。
5.一種少層單晶氧化亞錫，其特征在于，通過權利要求1~4任一項所述的一種少層單晶氧化亞錫的制備方法制備得到。
6.一種場效應晶體管，其特征在于，從下到上依次包括：襯底、權利要求5所述少層單晶氧化亞錫、源極和漏極。
7.根據權利要求6所述的一種場效應晶體管，其特征在于，所述襯底為摻二氧化硅的硅片。
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