[發(fā)明專利]處理被加工物的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811060888.2
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109494153B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長友優(yōu);木原嘉英
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發(fā)明提供在調(diào)整掩模的開口寬度的基礎(chǔ)上，對于等離子體蝕刻提供更牢固的掩模的方法。在一個實施方式的方法中，在被加工物上形成鎢膜。被加工物包括基底膜和設(shè)置在該基底膜上的掩模。鎢膜包括沿著劃分出開口的掩模的側(cè)壁面延伸的第1區(qū)域和在基底膜上延伸的第2區(qū)域。接著，以保留第1區(qū)域的方式執(zhí)行鎢膜的等離子體蝕刻。在鎢膜的形成中，對被加工物提供含有鎢的前體氣體。并且，為了對被加工物上的前體供給氫的活性種，而生成氫氣的等離子體。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及對被加工物進行處理的方法。

背景技術(shù)

在電子器件的制造中，為了將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到基底膜而進行等離子體蝕刻。作為掩模通常使用抗蝕劑掩模。抗蝕劑掩模通過光刻技術(shù)形成。所以，形成在被蝕刻層的圖案的邊界尺寸，依賴于通過光刻技術(shù)形成的抗蝕劑掩模的分辨極限。

伴隨著近年來的電子器件的高集成化，要求形成比抗蝕劑掩模的分辨極限小的尺寸的圖案。因此，提案有通過在抗蝕劑掩模上沉積氧化硅膜，調(diào)整由該抗蝕劑掩模劃分出的開口寬度的技術(shù)。該技術(shù)記載在專利文獻1中。

關(guān)于記載在專利文獻1中的技術(shù)，利用原子層沉積法(ALD法)在抗蝕劑掩模上形成硅氧化膜。具體而言，對具有抗蝕劑掩模的被加工物交替地供給氨基硅烷氣體與活性化了的活性氧。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-82560號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

在一個實施方式中，提供處理被加工物的方法。被加工物具有基底膜和掩模。掩模設(shè)置在基底膜上。掩模提供開口。該方法包括：(i)在被加工物上形成鎢膜的步驟，其中，鎢膜包括沿著劃分出開口的掩模的側(cè)壁面延伸的第1區(qū)域和在基底膜上延伸的第2區(qū)域；(ii)以保留第1區(qū)域除去第2區(qū)域的方式執(zhí)行鎢膜的等離子體蝕刻的步驟。形成鎢膜的步驟包括：(iii)為了在被加工物上沉積含有鎢的前體，而向被加工物供給含有鎢的前體氣體的步驟；(iv)為了對被加工物上的前體供給氫的活性種，而生成氫氣的等離子體的步驟。

在一個實施方式中，通過執(zhí)行前體的沉積和基于氫的活性種進行的前體中的雜質(zhì)的除去，在掩模和基底膜的表面上形成鎢膜。然后，以保留第1區(qū)域的方式蝕刻鎢膜。由此，調(diào)整掩模的開口寬度。并且，由于鎢制的第1區(qū)域沿著掩模的側(cè)壁面設(shè)置，對于基底膜的等離子體蝕刻能夠提供更牢固的掩模。但是，基于不使用等離子體的原子層沉積法的鎢膜的形成中，為了發(fā)生用于前體中的雜質(zhì)的除去的反應(yīng)，被加工物的溫度通常被設(shè)定為250℃以上的溫度。另一方面，在一個實施方式的方法中，利用來自氫氣的等離子體的氫的活性種除去前體中的雜質(zhì)而形成鎢膜，因此，形成鎢膜的步驟的執(zhí)行中的被加工物的溫度被設(shè)定為較低的溫度。

在一個實施方式的形成鎢膜的步驟中執(zhí)行多次循環(huán)，該多次循環(huán)中的每個循環(huán)包括供給前體氣體的步驟和生成氫氣的等離子體的步驟。

在一個實施方式中，前體氣體可以為鹵化鎢氣體。在一個實施方式中，前體氣體可以為六氟化鎢氣體。

在一個實施方式中，方法還包括：取得被加工物的多個區(qū)域的各自的掩模的開口寬度的測定值的步驟；計算出多個區(qū)域的各自的開口寬度的測定值與基準值之間的正的差值的步驟；在形成鎢膜的步驟中，調(diào)整被加工物的多個區(qū)域的各自的溫度的步驟，從而在被加工物的多個區(qū)域的各自中形成具有與差值對應(yīng)的膜厚的鎢膜。形成鎢膜的步驟是在調(diào)整了被加工物的多個區(qū)域各自的溫度的狀態(tài)下執(zhí)行的。

在一個實施方式中，被加工物包括：含硅膜；設(shè)置在該含硅膜上的有機膜；設(shè)置在該有機膜上的含硅的防反射膜；和設(shè)置在該防反射膜上的抗蝕劑掩模。含硅膜包括由硅形成的第1膜和設(shè)置在該第1膜上的第2膜，該第2膜由氧化硅形成。