[發明專利]處理被加工物的方法

有效

• 申請號: 201811060888.2
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109494153B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 長友優;木原嘉英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種處理被加工物的方法，其特征在于：

所述被加工物包括基底膜和設置在該基底膜上的掩模，該掩模提供開口，

所述方法包括：

在所述被加工物上形成鎢膜的步驟，該鎢膜包括沿著劃分出所述開口的所述掩模的側壁面延伸的第1區域和在所述基底膜上延伸的第2區域；

以保留所述第1區域除去所述第2區域的方式執行所述鎢膜的等離子體蝕刻的步驟；和

使用所述掩模和所述第1區域上保留的所述鎢膜執行所述基底膜的蝕刻的步驟，

所述形成鎢膜的步驟包括：

為了在所述被加工物上沉積含鎢的前體，而向所述被加工物供給含鎢的前體氣體的步驟；和

為了向所述被加工物上的所述前體供給氫的活性種，而生成氫氣的等離子體的步驟。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述形成鎢膜的步驟中執行多次循環，該多次循環中的每一個循環包括所述供給前體氣體的步驟和所述生成氫氣的等離子體的步驟。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述前體氣體為鹵化鎢氣體。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于：

所述前體氣體為六氟化鎢氣體。

5.一種處理被加工物的方法，其特征在于：

所述被加工物包括基底膜和設置在該基底膜上的掩模，該掩模提供開口，

所述方法包括：

在所述被加工物上形成鎢膜的步驟，該鎢膜包括沿著劃分出所述開口的所述掩模的側壁面延伸的第1區域和在所述基底膜上延伸的第2區域；和

以保留所述第1區域除去所述第2區域的方式執行所述鎢膜的等離子體蝕刻的步驟，

所述形成鎢膜的步驟包括：

為了在所述被加工物上沉積含鎢的前體，而向所述被加工物供給含鎢的前體氣體的步驟；和

為了向所述被加工物上的所述前體供給氫的活性種，而生成氫氣的等離子體的步驟，

所述被加工物包括含硅膜、設置在該含硅膜上的有機膜、設置在該有機膜上的含硅的防反射膜、和設置在該防反射膜上的抗蝕劑掩模，

所述含硅膜包括由硅形成的第1膜和設置在該第1膜上的第2膜，該第2膜由氧化硅形成，

所述基底膜為所述防反射膜，設置在所述基底膜上的所述掩模為所述抗蝕劑掩模，

所述方法還包括：

在執行了所述鎢膜的等離子體蝕刻的所述步驟之后，執行所述防反射膜的等離子體蝕刻的步驟；

執行所述有機膜的等離子體蝕刻，由所述有機膜形成有機掩模的步驟；

執行所述第2膜的等離子體蝕刻的步驟；

除去所述有機掩模的步驟；和

執行所述第1膜的等離子體蝕刻的步驟。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于：

所述形成鎢膜的步驟和所述執行所述鎢膜的等離子體蝕刻的步驟，在所述除去所述有機掩模的步驟與所述執行所述第1膜的等離子體蝕刻的步驟之間執行。