[發(fā)明專利]銀膜蝕刻液組合物、用它的蝕刻方法及金屬圖案形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811060573.8 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN110158088B | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 南基龍;尹暎晉;李原昊 | 申請（專利權(quán)）人： | 東友精細(xì)化工有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/30 | 分類號： | C23F1/30;H01L21/3213;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人： | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 組合 方法 金屬 圖案 形成 | ||
本發(fā)明提供一種銀薄膜蝕刻液組合物、利用它的蝕刻方法及金屬圖案形成方法。相對于組合物的總重量，該銀薄膜蝕刻液組合物包含7至15重量％的硝酸、3至8重量％的碳原子數(shù)為1至3的烷基磺酸、10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有機酸、15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有機酸、5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有機酸、5至15重量％的硫酸鹽及余量的水。該銀薄膜蝕刻液組合物用于蝕刻由銀(Ag)或銀合金組成的單層膜或由所述單層膜和透明傳導(dǎo)膜構(gòu)成的多層膜，并且不會發(fā)生殘渣(例如，銀殘渣和/或透明傳導(dǎo)膜殘渣等)及銀再吸附問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種銀薄膜蝕刻液組合物、利用它的蝕刻方法及金屬圖案形成方法。
背景技術(shù)
隨著步入真正的信息化時代，用于處理及顯示大量信息的顯示器領(lǐng)域急速發(fā)展，與此相應(yīng)地開發(fā)了多種平板顯示器并受到關(guān)注。
作為這種平板顯示裝置的例，可列舉液晶顯示器裝置(Liquid crystal displaydevice：LCD)、等離子體顯示裝置(Plasma Display Panel device：PDP)、場致發(fā)射顯示裝置(Field Emission Display device：FED)、電致發(fā)光顯示裝置(ElectroluminescenceDisplay device：ELD)、有機發(fā)光顯示裝置(Organic Light Emitting Diodes：OLED)等，這種平板顯示裝置不僅在電視機或錄像機等家電領(lǐng)域而且在如筆記本等的計算機及移動電話等中以多種用途被使用。這些平板顯示裝置因薄型化、輕量化及低耗電等優(yōu)異的性能而迅速替代了以往使用的陰極射線管(Cathode Ray Tube：NIT)。
特別是，由于OLED(有機發(fā)光二極管)元件自身發(fā)出光且在低電壓下也能夠被驅(qū)動，因此近年來在便攜設(shè)備等小型顯示器市場中迅速應(yīng)用OLED。此外，OLED處于越過小型顯示器而實現(xiàn)大型TV的商用化的狀態(tài)。
另外，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)等的導(dǎo)電性金屬對光的透射率比較優(yōu)異，并且具有導(dǎo)電性，因此作為平板顯示裝置中使用的濾色器的電極而被廣泛使用。但是，這些金屬還具有高電阻，在通過改善響應(yīng)速度來實現(xiàn)平板顯示裝置的大型化及高分辨率時成為障礙。
此外，在反射板的情況下，以往主要將鋁(Al)反射板用于產(chǎn)品，但為了通過提高亮度來實現(xiàn)低耗電，處于摸索朝向反射率更高的金屬變更材料的狀態(tài)。為此，欲通過將與平板顯示裝置中應(yīng)用的金屬相比具有較低的比電阻和較高的亮度的銀(Ag：比電阻為約1.59μΩcm)膜、銀合金或包含該銀合金的多層膜應(yīng)用到濾色器的電極、LCD或OLED布線及反射板中，實現(xiàn)平板顯示裝置的大型化和高分辨率及低耗電等，與此相應(yīng)地要求開發(fā)用于應(yīng)用該材料的蝕刻液。
但是，對于玻璃等的絕緣基板或者由本征非晶硅或摻雜的非晶硅等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板等的下部基板，銀(Ag)的粘著性(adhesion)非常差，從而不易進(jìn)行沉積，容易誘發(fā)布線的浮起(lifting)或剝離(Peeling)。此外，在銀(Ag)導(dǎo)電層被沉積在基板上的情況下，為了進(jìn)行該銀導(dǎo)電層的圖案化，也需要使用蝕刻液。在作為這種蝕刻液而使用現(xiàn)有的蝕刻液的情況下，由于銀(Ag)被過度蝕刻或銀(Ag)被不均勻地蝕刻而發(fā)生布線的浮起或剝離現(xiàn)象，布線的側(cè)面輪廓較差。
此外，在進(jìn)行用于實現(xiàn)高分辨率的低歪斜(LOW Skew)實現(xiàn)工序時存在困難。
特別是，銀(Ag)為容易被還原的金屬，因銀的蝕刻速度快而在不產(chǎn)生殘渣的情況下被蝕刻，但此時因銀的蝕刻速度快而不會發(fā)生上下部之間的蝕刻速度差，難以形成蝕刻后的錐角(taper angle)且難以確保蝕刻圖案的直進(jìn)性，從而在形成布線及圖案時具有較多的局限。
在金屬膜垂直立起而沒有錐角(taper angle)的情況下，后續(xù)工序中形成絕緣膜或后續(xù)布線時，有可能會在銀(Ag)與絕緣膜或布線之間發(fā)生空隙，并且這種空隙成為發(fā)生電短路等不良情況的原因。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東友精細(xì)化工有限公司，未經(jīng)東友精細(xì)化工有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811060573.8/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
