[發明專利]銀膜蝕刻液組合物、用它的蝕刻方法及金屬圖案形成方法

有效

• 申請號: 201811060573.8
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN110158088B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 南基龍;尹暎晉;李原昊
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/30
• 分類號: C23F1/30;H01L21/3213;H01L51/56
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

1.一種銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

相對于組合物的總重量，包含：

A：7重量％至15重量％的硝酸；

B-1：3重量％至8重量％的碳原子數為1至3的烷基磺酸；

B-2：10重量％至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有機酸；

B-3：15重量％至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有機酸；

B-4：5重量％至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有機酸；

C：5重量％至15重量％的硫酸鹽；及

D：余量的水；

其中，所述除烷基磺酸以外的第三有機酸包括選自由丙二酸和草酸組成的組中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述B-1中的碳原子數為1至3的烷基磺酸為甲磺酸。

3.根據權利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述B-2中的除烷基磺酸以外的第一有機酸包含單羧基。

4.根據權利要求3所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述B-2中的除烷基磺酸以外的第一有機酸包含選自由乙酸、乙醇酸、丙酸及丁酸組成的組中的一種以上。

5.根據權利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述B-3中的除烷基磺酸以外的第二有機酸包含單羧基或多羧基、和單羥基或多羥基。

6.根據權利要求5所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述B-3中的除烷基磺酸以外的第二有機酸包含選自由檸檬酸、乳酸、酒石酸及甘油酸組成的組中的一種以上。

7.根據權利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述C中的硫酸鹽包含選自由亞硫酸氫鉀、亞硫酸氫鈉及硫酸鎂組成的組中的一種以上。

8.根據權利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述銀薄膜蝕刻液組合物能夠同時蝕刻由銀或銀合金組成的單層膜或由所述單層膜和透明傳導膜構成的多層膜。

9.根據權利要求8所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述透明傳導膜為選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅及氧化銦鎵鋅組成的組中的一種以上。

10.根據權利要求8所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，

所述多層膜包含由透明傳導膜/銀、透明傳導膜/銀合金、透明傳導膜/銀/透明傳導膜、或透明傳導膜/銀合金/透明傳導膜形成的多層膜。

11.一種蝕刻方法，包括以下步驟：

在基板上形成由銀或銀合金組成的單層膜或由所述單層膜和透明傳導膜構成的多層膜；

在所述單層膜或所述多層膜上選擇性地殘留光反應物質；以及

使用權利要求1所述的組合物來對所述單層膜或所述多層膜進行蝕刻。

12.一種形成金屬圖案的方法，包括以下步驟：

在基板上形成由銀或銀合金組成的單層膜或由所述單層膜和透明傳導膜構成的多層膜；以及

使用權利要求1所述的組合物來對所述單層膜或所述多層膜進行蝕刻。