[發(fā)明專利]用于加工半導體器件的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811060553.0 | 申請日: | 2018-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN109494176B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 丁佳培;甄家榮;柯定福;廖儉;宋景耀;袁斌;穆勒斯瓦蘭·德瓦斯加馬尼 | 申請(專利權)人: | 先進科技新加坡有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產(chǎn)權代理有限公司 11214 | 代理人: | 艾晶 |
| 地址: | 新加坡2*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 加工 半導體器件 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種用于加工半導體器件的裝置,包括第一工具,該第一工具包括壓力施加部件、引導件和能在引導件中移動的間隔件。間隙限定在間隔件和引導件之間,并且可操作以允許間隔件相對于引導件傾斜。該裝置還包括用于保持半導體器件的第二工具,其中第一工具和第二工具能在非耦合狀態(tài)和耦合狀態(tài)之間相對于彼此移動。間隔件包括靠近壓力施加部件的第一部分,其中在耦合狀態(tài)下,壓力施加部件可操作以將作為第一壓力的力施加到第一部分。間隔件還包括遠離壓力施加部件的第二部分,其中在耦合狀態(tài)下,第二部分靠近半導體器件并且可操作以將來自壓力施加部件的力作為第二壓力傳遞到半導體器件。
技術領域
本發(fā)明涉及一種用于模制或燒結半導體器件的裝置。本發(fā)明還涉及一種用于模制或燒結半導體器件的方法。
背景技術
傳統(tǒng)的模制裝置通常包括基板和用于在引入模塑料的同時保持半導體器件的蓋子。然而,半導體器件可能不具有平行表面,因此半導體器件的頂表面在放置在裝置中時可能會傾斜。在模制期間施加在半導體器件上的力的不均勻性可能導致不希望的模制結果,甚至可能損壞半導體器件。因此,當遇到這種情況時需要更多的調(diào)整時間,因此不能實現(xiàn)更高的產(chǎn)量。
因此,需要一種具有高產(chǎn)量和高質量的用于模制或燒結半導體器件的經(jīng)濟的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明試圖提供一種改進上述問題的改進裝置。改進的模制裝置提供半導體器件和裝置部件之間的對準,從而實現(xiàn)更好的力分布和更高的加工質量。
因此,本發(fā)明提供一種用于加工半導體器件的裝置,包括:第一工具,包括:壓力施加部件;引導件;以及能在引導件中移動的間隔件;其中在間隔件和引導件之間限定間隙,并且間隙可操作以允許間隔件相對于引導件傾斜;以及用于保持半導體器件的第二工具,其中第一工具和第二工具能在非耦合狀態(tài)和耦合狀態(tài)之間相對于彼此移動;其中所述間隔件包括:靠近所述壓力施加部件的第一部分,其中在所述耦合狀態(tài)下,所述壓力施加部件可操作以將作為第一壓力的力施加到所述第一部分;遠離壓力施加部件的第二部分,其中在耦合狀態(tài)下,所述第二部分靠近半導體器件并且被配置為將來自壓力施加部件的力作為第二壓力傳遞到半導體器件。
本發(fā)明還提供一種加工半導體的方法,包括:提供具有能相對于彼此移動的第一工具和第二工具的裝置,其中第二工具包括保持器,第一工具包括壓力腔室能在引導件中移動的可移動間隔件,第一工具包括在間隔件和引導件之間的間隙,該間隙可操作以允許間隔件相對于引導件傾斜,并且其中第一工具和第二工具處于非耦合狀態(tài);在保持器上布置半導體器件;將第一工具和第二工具從非耦合狀態(tài)轉換成耦合狀態(tài);通過在間隔件上施加來自壓力腔室的壓力,在間隔件和保持器之間壓縮半導體器件;等待預定時間段;將第一工具和第二工具從耦合狀態(tài)轉換成非耦合狀態(tài)。
附圖說明
當結合非限制性示例和附圖考慮時,參考詳細描述將更好地理解本發(fā)明,如下所述。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的裝置的示例性截面示意圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的裝置的截面示意圖。
圖3示出了與圖2類似的裝置的一部分的截面示意圖,其中有兩個用于單個襯底的間隔件,每個間隔件位于相應的半導體器件上方。
圖4示出了與圖2類似的裝置的截面示意圖,但具有不同的壓力施加部件。
圖5示出了與圖3類似的裝置的截面示意圖,其中有兩個用于單個襯底的間隔件,每個間隔件位于相應的半導體器件上方。
圖6示出了示意性截面圖,示出了隔膜和間隔件之間的接觸的細節(jié),以及間隔件的示例性實施例。
圖7示出了示意性截面視圖,示出了隔膜和間隔件之間的接觸的細節(jié)。
圖8以示意性截面圖示出了半導體器件的不平坦表面如何由間隔件補償。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





