[發明專利]用于加工半導體器件的裝置和方法

有效

• 申請號: 201811060553.0
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109494176B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 丁佳培;甄家榮;柯定福;廖儉;宋景耀;袁斌;穆勒斯瓦蘭·德瓦斯加馬尼
• 申請（專利權）人: 先進科技新加坡有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66;H01L21/677
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司 11214
• 代理人: 艾晶

1.一種用于在模制或燒結過程中將壓力施加至半導體器件上以抵靠襯底的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

第一工具，包括：

包含在具有引導壁的板中的引導件；

位于所述引導壁內并能在所述引導件中移動的間隔件；

其中在所述間隔件和與該間隔件相鄰的所述引導壁之間限定間隙，并且所述間隙可操作以允許所述間隔件相對于所述引導壁傾斜；以及

壓力施加部件，其包括腔室和隔膜，所述隔膜將所述腔室中的壓力傳遞介質與所述間隔件分開，所述隔膜與所述板及所述間隔件接觸并由所述板及所述間隔件支撐；

第二工具，其包含構造成保持所述襯底和所述半導體器件的保持器，其中所述第一工具和第二工具能在非耦合狀態和耦合狀態之間相對于彼此移動；

其中所述間隔件包括：

位于所述間隔件的第一端的第一部分，所述第一部分靠近所述壓力施加部件，其中在所述耦合狀態下，所述壓力施加部件可操作以將作為第一壓力的力施加到所述第一部分；以及

位于與所述第一端相對的所述間隔件的第二端的第二部分，所述第二部分遠離所述壓力施加部件，其中在所述耦合狀態下，所述第二部分靠近所述半導體器件并且可操作以將來自所述壓力施加部件的力作為第二壓力傳遞到所述半導體器件以抵靠所述襯底。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在靠近所述壓力施加部件的第一部分處的間隙小于在遠離所述壓力施加部件的第二部分處的間隙。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述間隔件和所述引導件之間的間隙寬度為0.001mm至5mm。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在靠近所述壓力施加部件的第一部分處的間隙的寬度為0.001mm至1mm。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在遠離所述壓力施加部件的第二部分處的間隙的寬度為0.01mm至5mm。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一工具還包括O形環，用于將所述隔膜保持在所述腔室中的適當位置。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，第一工具還包括附加環，其直徑大于所述O形環，可操作以圍繞所述O形環以防止所述O形環受擠壓。

8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述間隔件還包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面，其中所述第一表面是能與所述壓力施加部件接觸的表面，并且其中所述第一表面的面積大于所述第二表面的面積，因此當充分利用第二表面時所述間隔件適用的壓力大于所述壓力施加部件施加到所述第一表面的壓力。

9.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述間隔件的邊緣用具有小于0.2mm的半徑的圓形邊緣去毛刺。

10.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述間隔件還包括內部部分和外部部分，其中所述內部部分能相對于所述外部部分移動。

11.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述內部部分相對于所述外部部分在遠離所述壓力施加部件的方向上的運動受到限制。

12.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述保持器包括球面軸承，當從所述非耦合狀態變為所述耦合狀態時，所述球面軸承用于使所述半導體器件相對于所述間隔件調平。

13.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二工具可操作以在包括在所述第二工具中的半導體器件的保持器上接收底部保護膜。

14.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括加熱塊，其中所述加熱塊與所述保持器之間的距離是能調節的。