[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 201811060398.2
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109545820A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 李宗璨;鄭雄喜;梁泰勳;李镕守
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;薛義丹

提供了一種顯示裝置和一種用于制造該顯示裝置的方法。該顯示裝置包括：基底；緩沖層，設置在基底上；第一晶體管的第一半導體層，設置在緩沖層上；第一絕緣層，設置在第一半導體層上；第一晶體管的第一柵電極，設置在第一絕緣層上；第二絕緣層，設置在第一柵電極上；以及第二晶體管的第二半導體層，設置在第二絕緣層上。緩沖層的下側和第二絕緣層的上側之間的第一距離與第一半導體層的上側和第二絕緣層的上側之間的第二距離之間的差為420埃至520埃。

本申請要求于2017年9月22日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0122743號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及一種顯示裝置和一種該顯示裝置的制造方法。

背景技術

包括在諸如顯示裝置的各種電子裝置中的晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和半導體層。晶體管在顯示裝置中用作開關元件或驅動元件。包括晶體管的晶體管顯示面板在顯示裝置中用作用于驅動像素的電路板。晶體管顯示面板可以包括用于傳輸柵極信號的柵極線、用于傳輸對應于圖像信號的數據電壓的數據線以及連接到晶體管的像素電極。

對高分辨率顯示裝置有著持續的需求。當減小晶體管之間的間隙時，可以在每單位面積設置更多的晶體管以增大分辨率，并且可以減小由晶體管占據的面積以增大像素的開口率。當使用其中如用于減小晶體管之間的間隙的方法使晶體管不形成在同一層上而是使它們堆疊的堆疊結構時，可以減小晶體管之間的間隙，然而，這會需要附加的處理步驟。

在該背景技術部分中公開的以上信息僅為了增強對發明的背景技術的理解，因此，它可以包含不形成對本領域的普通技術人員而言在本國已知的現有技術的信息。

發明內容

實施例提供了一種包括堆疊結構的晶體管的顯示裝置和一種該顯示裝置的制造方法。

示例性實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基底；緩沖層，設置在基底上；第一晶體管的第一半導體層，設置在緩沖層上；第一絕緣層，設置在第一半導體層上；第一晶體管的第一柵電極，設置在第一絕緣層上；第二絕緣層，設置在第一柵電極上；以及第二晶體管的第二半導體層，設置在第二絕緣層上。緩沖層的下側和第二絕緣層的上側之間的第一距離與第一半導體層的上側和第二絕緣層的上側之間的第二距離之間的差為420埃至520埃。

第一柵電極的上側和第二絕緣層的上側之間的第三距離與第二距離之間的差可以是420埃至520埃。

第一距離可以對應于在不與第一半導體層疊置的區域中的緩沖層、第一絕緣層和第二絕緣層的厚度的總和。

第二距離可以對應于在與第一半導體層疊置并且不與第一柵電極疊置的區域中的第一絕緣層和第二絕緣層的厚度的總和。

第三距離可以對應于在與第一柵電極疊置的區域中的第二絕緣層的厚度。

第二晶體管可以包括與第二半導體層疊置的第二柵電極，第二半導體層的厚度可以等于或小于500埃。

第一半導體層和第二半導體層可以分別包括多晶硅。

第一半導體層可以包括與第一柵電極疊置的第一溝道以及位于第一溝道的兩側處的第一源電極和第一漏電極。第二半導體層可以包括與第二柵電極疊置的第二溝道以及位于第二溝道的兩側處的第二源電極和第二漏電極。

顯示裝置還可以包括設置在第二半導體層與第二柵電極之間的第三絕緣層和設置在第二柵電極上的第四絕緣層。第一晶體管可以包括通過穿過第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層和第四絕緣層的接觸孔連接到第一源電極和第一漏電極的第一源極連接件和第一漏極連接件。

顯示裝置還可以包括：像素電極，設置在第二晶體管上；發光構件，設置在像素電極上；以及共電極，設置在發光構件上。