[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 201811060398.2
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109545820A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 李宗璨;鄭雄喜;梁泰勳;李镕守
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;薛義丹

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底；

緩沖層，設置在所述基底上；

第一晶體管的第一半導體層，設置在所述緩沖層上；

第一絕緣層，設置在所述第一半導體層上；

所述第一晶體管的第一柵電極，設置在所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，設置在所述第一柵電極上；以及

第二晶體管的第二半導體層，設置在所述第二絕緣層上，

其中，所述緩沖層的下側和所述第二絕緣層的上側之間的第一距離與所述第一半導體層的上側和所述第二絕緣層的所述上側之間的第二距離之間的差為420埃至520埃。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第一柵電極的上側和所述第二絕緣層的所述上側之間的第三距離與所述第二距離之間的差是420埃至520埃。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第一距離對應于在不與所述第一半導體層疊置的區域中的所述緩沖層、所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的厚度的總和。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中：

所述第二距離對應于在與所述第一半導體層疊置并且不與所述第一柵電極疊置的區域中的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的厚度的總和。

5.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中：

所述第三距離對應于在與所述第一柵電極疊置的區域中的所述第二絕緣層的厚度。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第二晶體管包括與所述第二半導體層疊置的第二柵電極，并且

所述第二半導體層的厚度等于或小于500埃。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第一半導體層和所述第二半導體層分別包括多晶硅。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中：

所述第一半導體層包括與所述第一柵電極疊置的第一溝道以及位于所述第一溝道的兩側處的第一源電極和第一漏電極，并且

所述第二半導體層包括與所述第二晶體管的第二柵電極疊置的第二溝道以及位于所述第二溝道的兩側處的第二源電極和第二漏電極。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

第三絕緣層，設置在所述第二半導體層與所述第二柵電極之間；以及

第四絕緣層，設置在所述第二柵電極上，

其中，所述第一晶體管包括通過穿過所述第一絕緣層、所述第二絕緣層、所述第三絕緣層和所述第四絕緣層的接觸孔連接到所述第一源電極和所述第一漏電極的第一源極連接件和第一漏極連接件。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

像素電極，設置在所述第二晶體管上；

發光構件，設置在所述像素電極上；以及

共電極，設置在所述發光構件上。

11.一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

在基底上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成第一晶體管的第一半導體層；

在所述第一半導體層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成所述第一晶體管的第一柵電極；

在所述第一柵電極上形成第二絕緣層；以及

在所述第二絕緣層上形成第二晶體管的第二半導體層，

其中，形成所述第二半導體層的步驟包括形成非晶硅層并且使所述非晶硅層中的非晶硅結晶，當執行所述結晶步驟時，使所述第一半導體層活化或退火。

12.根據權利要求11所述的方法，其中：

所述緩沖層的下側和所述第二絕緣層的上側之間的第一距離與所述第一半導體層的上側和所述第二絕緣層的所述上側之間的第二距離之間的差為420埃至520埃。