[發明專利]集成電路裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 201811058096.1
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN110265394A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 樸宰賢;白桂鉉;全庸淏;金哲;樸星一;李允逸;李炯錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

本發明提供了一種集成電路裝置及其形成方法。所述集成電路(IC)裝置包括：在襯底上沿著第一方向彼此相鄰的第一區域和第二區域；在所述第一區域和所述第二區域中的每一個中沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸的鰭圖案；沿著所述第一方向延伸并且與所述鰭圖案相交的柵電極；以及位于所述第一區域與所述第二區域之間的隔離區域，所述隔離區域的底部相對于所述襯底的底部具有不均一的高度。

相關申請的交叉引用

通過引用將于2018年3月12日在韓國知識產權局提交的并且標題為“INTEGRATEDCIRCUIT DEVICE(集成電路裝置)”的韓國專利申請號為10-2018-0028730的全部內容以及于2018年7月12日向美國專利商標局(USPTO)提交的標題為“INTEGRATED CIRCUIT DEVICEAND METHOD OF FORMING THE SAME(集成電路裝置及其形成方法)”的美國專利申請號為16/033,488的全部內容并入本文。

技術領域

實施例涉及集成電路(IC)裝置，并且更具體地，涉及包括鰭型有源區域的IC裝置。

背景技術

高度集成的IC裝置需要高運行速度和高操作精度。因此，這種IC裝置需要減小由互連和接觸占用的面積，同時穩定地維持各接觸之間的絕緣距離。

發明內容

根據實施例的一方面，提供了一種IC裝置，所述IC裝置包括：在襯底上沿著第一方向彼此相鄰的第一區域和第二區域；在所述第一區域和所述第二區域中的每一個中沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸的鰭圖案；在所述第一區域和所述第二區域中的每一個中沿著所述第一方向延伸并且與所述鰭圖案相交的柵電極；以及位于所述第一區域與所述第二區域之間的隔離區域，所述隔離區域的底部相對于所述襯底的底部具有不均一的高度。

根據實施例的一方面，提供了一種IC裝置，所述IC裝置包括：在襯底上沿著第一方向延伸的多個鰭圖案；沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸的多個柵電極；在所述多個鰭圖案上的多個源極/漏極區域；以及位于所述多個鰭圖案中的兩個相鄰鰭圖案之間并與這兩個相鄰鰭圖案平行的隔離區域，所述隔離區域將所述多個柵電極中的至少一個柵電極分隔成第一柵電極和第二柵電極，其中，所述隔離區域包括位于所述第一柵電極與所述第二柵電極之間的第一部分以及與所述第一柵電極和所述第二柵電極不具有交疊的關系的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述厚度是沿著與所述襯底的底部垂直的方向測量的。

根據實施例的一方面，提供了一種IC裝置，所述IC裝置包括：在襯底上沿著第一方向延伸的多個鰭圖案；沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸的多個柵電極；在所述多個鰭圖案上的多個源極/漏極區域；以及位于所述多個鰭圖案中的兩個相鄰鰭圖案之間并與這兩個相鄰鰭圖案平行的隔離區域，所述隔離區域將所述多個柵電極中的至少一個柵電極分隔成第一柵電極和第二柵電極，其中，所述隔離區域包括位于所述第一柵電極與所述第二柵電極之間的第一部分以及與所述第一柵電極和所述第二柵電極不具有交疊的關系的第二部分，在垂直于所述襯底的底部的方向上，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，并且所述第一部分的下部和所述第二部分的下部朝向其各自底部具有減小的寬度。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施例，對于本領域技術人員而言，特征將變得顯而易見，其中：

圖1示出了根據實施例的IC裝置的平面布局；

圖2A示出了圖1中區域“AX”的放大平面圖；

圖2B示出了沿著圖1的線X1-X1'截取的截面圖；

圖2C示出了沿著圖1的線X2-X2'截取的截面圖；

圖2D示出了沿著圖1的線Y1-Y1'截取的截面圖；

圖2E示出了沿著圖1的線Y2-Y2'截取的截面圖；