[發明專利]一種半導體器件的絕緣層的制備方法在審
| 申請號： | 201811057365.2 | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN110890314A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王瑩;于寶慶 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 絕緣 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件的絕緣層的制備方法，包括前驅體材料與溶劑的混合物的施用步驟、去除所述溶劑的烘烤步驟以及所述前驅體材料向絕緣材料的轉變步驟，其特征在于，所述烘烤步驟中，以50～70℃為起始溫度，通過兩段或兩段以上的階段升溫方式進行烘烤。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述烘烤步驟依次分為60～110℃下的低溫烘烤步驟以及130～180℃下的高溫烘烤步驟。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述低溫烘烤步驟通過一段或一段以上的階段升溫方式進行，總烘烤時間為90～120s；和/或
所述高溫烘烤步驟通過一段或一段以上的階段升溫方式進行，總烘烤時間為90～120s。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述烘烤步驟依次分為60～80℃下的第一烘烤步驟、100～120℃下的第二烘烤步驟以及130～180℃下的第三烘烤步驟。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一烘烤步驟通過一段或一段以上的階段升溫方式進行，總烘烤時間為60～80s；和/或
所述第二烘烤步驟通過一段或一段以上的階段升溫方式進行，總烘烤時間為60～80s；和/或
所述第三烘烤步驟通過一段或一段以上的階段升溫方式進行，總烘烤時間為60～80s。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述施用步驟中的施用方式為沉積、旋轉涂布、狹縫涂布或噴墨印刷。
7.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層為用于填充隔離溝槽的二氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述前驅體材料為含硅聚合物，所述溶劑為酯類溶劑。
9.一種半導體器件，包括由權利要求1-6任一項所述的制備方法制得的絕緣層。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣層為用于填充隔離溝槽的二氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
