[發明專利]集成電路板的清洗方法在審
| 申請號： | 201811057138.X | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN110890269A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 張建 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成 電路板 清洗 方法 | ||
1.一種集成電路板的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：
利用壓縮空氣吹除集成電路板表面粘附的灰塵；
將吹除灰塵后的集成電路板浸泡在第一清洗液中，并將所述集成電路板以預設超聲波清洗條件進行超聲波清洗；其中，所述第一清洗液包括氯仿和酒精；
利用第一純水將超聲波清洗后的集成電路板進行沖洗，并利用壓縮空氣吹干所述集成電路板；
利用第二清洗液將吹干后的集成電路板以預設噴淋清洗條件進行噴淋清洗；其中，所述第二清洗液包括硫酸、雙氧水和水；
利用第二純水將噴淋清洗后的集成電路板進行沖洗，并利用烘箱烘干所述集成電路板，得到清洗后的集成電路板。
2.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述預設超聲波清洗條件包括：所述第一清洗液的溫度為35～40℃，超聲波的振動頻率為100～150kHZ，清洗時間為8～10min。
3.如權利要求1所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述第一純水的電導率為0.01～0.05us/cm。
4.如權利要求1～3任一項所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，以所述第二清洗液的總重計，所述第二清洗液包括10％重量的硫酸、30％重量的雙氧水和60％重量的水。
5.如權利要求1～3任一項所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述預設噴淋清洗條件包括：所述第二清洗液的溫度為20～40℃，噴淋清洗的壓力為20MPa，清洗時間為60～100秒。
6.如權利要求1～3任一項所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述第二純水的電導率小于0.1us/cm。
7.如權利要求1～3任一項所述的集成電路板的清洗方法，其特征在于，所述利用烘箱烘干所述集成電路板的烘干溫度為65～80℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
