[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811056399.X
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN109560082A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李明東;李準原;李基碩;金奉秀;樸碩漢;韓成熙;黃有商
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/532;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體器件，包括：

襯底，在其中具有溝槽；

位線，其位于所述溝槽中，所述位線的寬度小于所述溝槽的寬度，所述位線的寬度和所述溝槽的寬度均在水平面中在第一方向上獲取；

第一間隔件，其沿所述溝槽的一部分延伸，并且沿著所述位線的側(cè)表面的至少一部分延伸，所述第一間隔件包括與所述位線接觸的氧化硅；以及

第二間隔件，其位于所述第一間隔件上，所述第二間隔件占據(jù)所述溝槽中尚未由所述第一間隔件填充的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底包括第一有源區(qū)，

所述溝槽的至少一部分在所述第一有源區(qū)中延伸，并且

所述位線與所述第一有源區(qū)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件的氧化硅為摻碳氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二間隔件包括氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括所述第一間隔件與所述第二間隔件之間的第三間隔件，所述第三間隔件包括氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括所述第一間隔件和所述第二間隔件上的第三間隔件，所述第三間隔件沿著所述位線的側(cè)表面延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，其中，所述第三間隔件包括氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，其中，所述第三間隔件是空氣空間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件的內(nèi)部沿著所述位線的側(cè)表面的所述至少一部分延伸，其外部沿所述溝槽的所述部分延伸，并且

所述第一間隔件的內(nèi)部的上表面布置為低于或等于所述第二間隔件的上表面的水平。

10.一種半導體器件，包括：

襯底，其包括第一有源區(qū)；

第一位線，其位于所述第一有源區(qū)上；

第一間隔件，其沿著所述第一位線的側(cè)表面的至少一部分延伸，所述第一間隔件包括與所述第一位線接觸的摻碳氧化硅；以及

第二間隔件，其位于所述第一間隔件上，所述第二間隔件包括氮化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述襯底中具有第一溝槽，

所述第一溝槽的至少一部分在所述第一有源區(qū)中延伸，并且

所述第一間隔件沿所述第一溝槽的一部分延伸，并且沿著所述第一位線的側(cè)表面的至少一部分延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體器件，還包括：

器件隔離膜，其限定所述第一有源區(qū)和與所述第一有源區(qū)間隔開的第二有源區(qū)；

第二溝槽，其在所述第二有源區(qū)和所述器件隔離膜中延伸；以及

埋置接觸件，其與所述第一位線間隔開并且填充所述第二溝槽。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件具有沿著所述第一位線的側(cè)表面的所述至少一部分延伸的內(nèi)部和沿所述第一溝槽的所述部分延伸的外部，并且

所述第一間隔件的外部與所述埋置接觸件接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件具有沿著所述第一位線的側(cè)表面的所述至少一部分延伸的內(nèi)部和沿所述第一溝槽的所述部分延伸的外部，并且

所述外部與所述第二有源區(qū)接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，還包括位于所述第一位線與所述埋置接觸件之間的第三間隔件，所述第三間隔件沿著所述埋置接觸件的側(cè)表面延伸。