[發明專利]光掩模及其修正方法、制造方法、顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201811056319.0
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN109491193B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 三好將之;一之瀨敬
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黃綸偉;于英慧

光掩模及其修正方法、制造方法、顯示裝置的制造方法，以穩定的條件高效地修正在轉印用圖案上產生的缺陷，并恢復該轉印用圖案的轉印性。光掩模具備在透明基板上形成的轉印用圖案。轉印用圖案包括：主圖案，其由透光部構成，直徑為W1(μm)；輔助圖案，其配置在主圖案的附近，不被曝光裝置析像，具備寬度d(μm)；及遮光部，其構成除了主圖案和輔助圖案以外的區域。遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的。輔助圖案具有針對曝光用光的代表波長的光的透射率T(％)，并且隔著遮光部而將主圖案的周圍包圍。在輔助圖案上產生白缺陷且該白缺陷為輔助圖案的面積的1/8以下時，在白缺陷部分形成遮光性的補充膜。

技術領域

本發明涉及有利于制造以液晶顯示器、有機EL顯示器為代表的顯示裝置的光掩模的修正(修復)方法及由此得到的光掩模、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法。

背景技術

專利文獻1中記載有一種光掩模，其具備通過將透明基板上成膜的半透光膜及低透光膜分別進行構圖而形成的轉印用圖案，所述半透光膜將i線～g線的波長范圍內的代表波長的光偏移大致180度，并具備針對所述代表波長的光的透射率T(％)，并且所述低透光膜針對所述代表波長的光而具備低于所述半透光膜的透射率T(％)的透射率T2(％)，所述轉印用圖案具備：主圖案，其由露出所述透明基板的透光部構成，直徑為W1(μm)；輔助圖案，其配置在所述主圖案的附近，由在所述透明基板上形成有所述半透光膜的半透光部構成，寬度為d(μm)；及低透光部，其配置在所述轉印用圖案中的形成有所述主圖案及所述輔助圖案的區域以外的區域，在所述透明基板上至少形成有所述低透光膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1日本特開2016-024264號公報

發明內容

發明要解決的課題

現在，在包括液晶顯示裝置、EL顯示裝置等的顯示裝置中，要求更明亮且省電，同時要求高精細、高速顯示、寬視場角這樣的顯示性能的提高。

例如，從上述顯示裝置中使用的薄膜晶體管(Thin Film Transistor：TFT)來講，在構成TFT的多個圖案當中，如果形成于層間絕緣膜的接觸孔不具備可靠地使上層和下層的圖案連接的作用，則不能保證準確的動作。另一方面，例如為了極力擴大液晶顯示裝置的孔徑比而實現明亮且省電的顯示裝置，要求接觸孔的直徑足夠小等，要求顯示裝置的高密度化的同時，還要求孔圖案的直徑的微細化(例如，小于3μm)。例如，需要直徑為0.8μm以上2.5μm以下的孔圖案，進一步需要直徑為2.0μm以下的孔圖案，具體地形成具備0.8～1.8μm的直徑的圖案也成為課題。

與顯示裝置相比，在集成度高，圖案的微細化顯著提高的半導體裝置(LSI)制造用光掩模的領域中，為了得到較高的析像性，存在曝光裝置中適用數值孔徑NA較大(例如，超過0.2)的光學系統并促進曝光用光的短波長化的過程。其結果，在該領域中，大多使用KrF、ArF的準分子激光(分別為248nm、193nm的單一波長)。

另一方面，在顯示裝置制造用的光刻領域中，為了提高析像性，一般情況下并非適用如上述的方法。例如，在該領域中使用的曝光裝置所具有的光學系統的NA(數值孔徑)為0.08～0.15程度。另外，作為曝光用光源也大多使用i線、h線或g線，通過使用主要包括這些的寬波長范圍光源，從而得到用于照射大面積(例如，一條邊為300～2000mm的四邊形)的光量，由此重視生產效率、成本的傾向較大。