[發明專利]光掩模及其修正方法、制造方法、顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201811056319.0 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN109491193B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 三好將之;一之瀨敬 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黃綸偉;于英慧 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 及其 修正 方法 制造 顯示裝置 | ||
1.一種光掩模的修正方法,該光掩模具備在透明基板上形成的轉印用圖案,
該光掩模的修正方法的特征在于,
所述轉印用圖案包括:
主圖案,其由透光部構成,直徑為W1(μm);
輔助圖案,其配置在所述主圖案的附近,不被曝光裝置析像,具備寬度d(μm);及
遮光部,其構成除了所述主圖案和所述輔助圖案之外的區域,
所述遮光部是在所述透明基板上至少形成遮光膜而成的,
所述輔助圖案具有針對曝光用光的代表波長的光的透射率T(%),并隔著所述遮光部而將所述主圖案的周圍包圍,
所述代表波長的光在所述輔助圖案上的透射光相對于所述代表波長的光在所述主圖案上的透射光,相位差為大致180度,
在所述輔助圖案產生黑缺陷時,進行擴張所述主圖案的寬度的擴張修正。
2.根據權利要求1所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述擴張修正使由于產生所述黑缺陷而下降的所述轉印用圖案的光學性能至少恢復一部分。
3.根據權利要求2所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述光學性能包括所述轉印用圖案的透射光在被轉印體上形成的光強度分布的峰值高度、焦點深度及曝光寬容度中的任意項。
4.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述黑缺陷超過所述輔助圖案的面積的1/8。
5.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述輔助圖案是在所述透明基板上形成半透光膜而成的,該半透光膜具有針對所述代表波長的光的透射率T(%),并且具備將所述代表波長的光大致偏移180度的相位特性。
6.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述黑缺陷是由于在所述輔助圖案中產生的白缺陷部分上形成遮光性的補充膜而產生的黑缺陷。
7.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
通過所述擴張修正而增加的主圖案的面積為由于所述黑缺陷而喪失的輔助圖案的面積S1的5%以下。
8.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述擴張修正是通過使正方形的主圖案的四條邊中的至少一條邊向遮光部側后退而進行的。
9.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述擴張修正是通過激光燒蝕或離子束蝕刻而去除遮光膜的邊緣而進行的。
10.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述輔助圖案配置在所述主圖案的附近,通過透過所述輔助圖案的光,使透過所述主圖案的所述曝光用光在被轉印體上形成的光強度分布發生變化,從而增加焦點深度。
11.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述轉印用圖案滿足下述的式(1)
0.8≤W1≤4.0…(1)。
12.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
所述轉印用圖案滿足下述的式(2)
13.根據權利要求1-3中的任一項所述的光掩模的修正方法,其特征在于,
在將所述主圖案的中心與所述輔助圖案的寬度方向的中心之間的距離設為P(μm)時,所述轉印用圖案滿足下述的式(3)
1.0P≤5.0…(3)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于HOYA株式會社,未經HOYA株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811056319.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于EUV光刻的掩模版
- 下一篇:一種MRC沖突協同優化算法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





