[發明專利]基片處理裝置、基片處理方法和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 201811055847.4
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN109494174A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 內田淳一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/30;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種基片處理裝置、基片處理方法和計算機存儲介質，根據基片的翹曲來恰當地進行使用了處理液的基片處理。顯影處理裝置(30)包括：保持晶圓(W)的旋轉卡盤(300)；對保持在旋轉卡盤(300)上的晶圓(W)的正面供給顯影液的顯影液噴嘴(320)；呈環形地設置于晶圓(W)的背面側的具有比晶圓(W)小的直徑的環狀部件(382)；使環狀部件(382)升降的升降部(383)；測量晶圓(W)的翹曲的翹曲測量部(340)；和控制部，其基于由翹曲測量部(340)測得的翹曲信息控制升降部(383)，以使得晶圓(W)的背面與環狀部件(382)之間成為規定距離。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置、基片處理方法和計算機存儲介質。

背景技術

在例如半導體器件的制造工藝中的光刻步驟中，例如進行在半導體晶圓(以下稱“晶圓”)上涂敷抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、對抗蝕劑膜以規定的圖案進行曝光的曝光處理和對曝光后的抗蝕劑膜進行顯影的顯影處理等，在晶圓上形成規定的抗蝕劑圖案。

在上述顯影處理中，供給到晶圓上的顯影液可能會從晶圓的正面經外緣部蔓延到(繞到)背面。若顯影液像這樣蔓延到晶圓背面，將會導致晶圓背面受到污染，或因蔓延到背面的顯影液滴落、飛散到周邊裝置上導致周邊裝置發生故障。

為此，在進行顯影處理的顯影處理裝置中，有時會為了抑制顯影液蔓延到晶圓背面的現象而設置環狀部件。環狀部件例如沿著晶圓背面側的外緣部靠近晶圓背面地設置。由此，晶圓背面與環狀部件之間由蔓延而來的顯影液實現液封，能夠阻擋并吸收要進一步蔓延到晶圓背面的顯影液。即，能夠抑制顯影液蔓延到晶圓背面。

如上所述，環狀部件需要靠近晶圓背面地設置，若該環狀部件與晶圓背面的距離過大，將不能形成液封，可能無法充分抑制顯影液的蔓延。

為此，例如在專利文獻1所述的旋轉處理裝置(顯影處理裝置)中，與晶圓的支承機構同心狀設置有上端形成為刀口狀的筒體(環狀部件)，其構成為能夠由升降機構上下移動。并且，將筒體配置成，在進行顯影處理時其位置使得筒體的上端部與晶圓背面的間隔例如靠近至1mm左右，來抑制顯影液的蔓延。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻：日本特開平7-249559號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

不過，在進行顯影處理的晶圓中，可能會因例如成膜和蝕刻等前處理的影響、像近年來的3D NAND那樣將晶圓層疊的影響等諸多原因而導致晶圓產生翹曲。

例如，在晶圓產生凹陷型翹曲的情況下(晶圓的外緣部向上翹的情況下)，晶圓背面與環狀部件的距離增大。在該情況下，可能無法利用環狀部件恰當地抑制顯影液蔓延到晶圓背面。

另一方面，例如在晶圓產生凸起型翹曲的情況下(晶圓的外緣部向下翹的情況下)，晶圓背面與環狀部件的距離減小。在顯影處理中，需要在將抗蝕劑膜顯影后對晶圓背面噴射清洗液來清洗該晶圓背面，但若晶圓背面與環狀部件的距離較小，則清洗液會殘留在晶圓背面與環狀部件之間，晶圓背面可能會附著液滴。之后對像這樣附著了液滴的晶圓進行加熱處理時，則混有雜質的水蒸氣會從晶圓背面流到晶圓正面，其結果可能導致晶圓正面產生缺陷。

然而，在上述專利文獻1記載的裝置中，雖然利用升降機構使筒體(環狀部件)升降，但并未對環狀部件進行與晶圓的翹曲相應的升降控制。從而，現有的顯影處理尚有改進的余地。

本發明是鑒于這一點而完成的，其目的在于根據基片的翹曲來恰當地進行使用了處理液的基片處理。

解決問題的技術手段