[發明專利]基片處理裝置、基片處理方法和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 201811055847.4
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN109494174A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 內田淳一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/30;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種對基片進行處理的基片處理裝置，其特征在于，包括：

保持所述基片的基片保持部；

對保持在所述基片保持部上的所述基片的正面供給處理液的處理液供給部；

呈環形地設置于所述基片的背面側的具有比所述基片小的直徑的環狀部件；

使所述環狀部件升降的升降部；

測量所述基片的翹曲的翹曲測量部；和

控制部，其基于由所述翹曲測量部測得的翹曲信息控制所述升降部，以使得所述基片的背面與所述環狀部件之間成為規定距離。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括對保持在所述基片保持部上的所述基片的背面供給清洗液的清洗液供給部，

在利用所述處理液進行了基片的處理后利用所述清洗液清洗所述基片的背面時，所述控制部控制所述升降部以使所述環狀部件下降。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述環狀部件的上表面形成平坦面。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括對所述環狀部件噴射氣體的氣體供給部。

5.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述氣體供給部呈環形地配置在所述環狀部件的內側。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述環狀部件呈同心狀地設置有多個，

所述控制部控制所述升降部，使得所述多個環狀部件各自與所述基片的背面的距離相同。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述翹曲測量部對保持在所述基片保持部上的所述基片的翹曲進行測量。

8.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述翹曲測量部是激光位移計，其被設置在所述基片保持部的上方。

9.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述翹曲測量部是靜電電容傳感器或超聲波傳感器，其被設置在所述環狀部件的上部或用于支承所述環狀部件的引導部件上。

10.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述翹曲測量部對保持在所述基片保持部之前的所述基片的翹曲進行測量。

11.一種對基片進行處理的基片處理方法，其特征在于，包括：

測量所述基片的翹曲的翹曲測量步驟；和

之后，從處理液供給部對保持在基片保持部上的所述基片的正面供給處理液，來對該基片進行處理的處理步驟，

在所述處理步驟中，基于在所述翹曲測量步驟中測得的翹曲信息，利用升降部使呈環形地設置于所述基片的背面側的具有比所述基片小的直徑的環狀部件升降，來將所述基片的背面與所述環狀部件之間調節為規定距離。

12.如權利要求11所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在所述處理步驟之后，從清洗液供給部對保持在所述基片保持部上的所述基片的背面供給清洗液，來對該背面進行清洗的背面清洗步驟，

在所述背面清洗步驟中，利用所述升降部使所述環狀部件下降。

13.如權利要求11或12所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在所述處理步驟之后，從氣體供給部對所述環狀部件噴射氣體，來除去附著在該環狀部件上的液滴的液滴除去步驟。

14.如權利要求11～13中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述環狀部件呈同心狀地設置有多個，

在所述處理步驟中，利用所述升降部使所述多個環狀部件獨立升降，來進行調節以使得所述多個環狀部件各自與所述基片的背面的距離相同。