[發明專利]反光膜、光伏組件及反光膜制作方法在審
| 申請號: | 201811052528.8 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110896106A | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 王同心;殷鐳城;許先華;薛群山;沈一春 | 申請(專利權)人: | 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 蘇廣秀;徐麗 |
| 地址: | 226009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反光 組件 制作方法 | ||
1.一種反光膜,其特征在于:所述反光膜由下至上依次包括粘結層、基底層、結構層、反光層及保護層,所述結構層包括底座和設置于所述底座上的多個平行排列的微結構,所述保護層包括上表面和下表面,所述上表面為平面,所述保護層下表面的形狀與所述反光層的形狀匹配。
2.如權利要求1所述的光伏組件用反光膜,其特征在于:所述粘結層的厚度為10-30μm,所述基底層的厚度為50-150μm,所述底座的厚度為5-10μm,所述微結構的高度為10-30μm,所述反光層的厚度為20-300nm,所述保護層厚度為10-100μm。
3.如權利要求1所述的光伏組件用反光膜,其特征在于:所述微結構的形狀為三棱柱,所述微結構設置在所述底座上,所述微結構的延伸方向與所述反光膜的延伸方向形成夾角α,所述夾角為0°≤α<90°或90°<α≤180°。
4.如權利要求3所述的光伏組件用反光膜,其特征在于:所述微結構橫截面為等腰三角形,所述微結構的橫截面三角形的底邊與所述底座所在平面平行,所述等腰三角形底角為30度,底邊長度為30~100μm。
5.如權利要求1所述的光伏組件用反光膜,其特征在于:所述保護層包括含氟樹脂和含氟涂料,其中所述含氟樹脂為ETF、PCTFE、PFA及FEP中的一種或多種混合材料。
6.如權利要求1所述的光伏組件用反光膜,其特征在于:所述保護層的高度大于所述微結構的高度。
7.一種光伏組件,包括太陽能電池片和背板,其特征在于:所述光伏組件還包括如權利要求1-6任意一項所述的反光膜。
8.一種如權利要求1-6任意一項所述反光膜的制作方法,其特征在于:所述制作方法包括以下步驟:
步驟1提供一種基材,將基材置于涂布設備上,通過卷對卷的方式在基材傳動時,對涂布設備上的基材表面滴加紫外固化膠水,在壓力輥和模具輥的擠壓作用使膠水均勻展開,并在紫外固化膠水層上轉印出微結構,同時在基材的另一面使用高強度的紫外燈進行輻射固化,使膠水瞬間固化,然后從模具輥上剝離;
步驟2在制作完微結構的基材的另一面通過擠出復合的方法涂布一層熱熔膠;
步驟3通過卷對卷蒸鍍在微結構表面鍍制反光層;
步驟4使用擠出機在反光層表面擠出復合一層保護層或采用卷對卷方式在反光層表面涂布保護層;
步驟5通過分切的方式把反光膜分切成與焊帶匹配的寬度,并收卷成成品。
9.如權利要求8所述的光伏組件用反光膜的制作方法,其特征在于:步驟1中輻射強度為100~500mJ/cm2,基材的傳動速度為10~50m/min。
10.如權利要求8所述的光伏組件用反光膜的制作方法,其特征在于:步驟2中熱熔膠為EVA或EAA,其中EVA熱熔膠的加工溫度為200℃,含量為20~40%,復合速度為50~80m/min。
11.如權利要求8所述的光伏組件用反光膜的制作方法,其特征在于:步驟3中的蒸鍍速度為100~300m/min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司,未經中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811052528.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種氣彈簧布置布置參數的確定方法及裝置
- 下一篇:模糊邊緣病斑提取方法和裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





