[發明專利]提升平面IGBT良率的方法及制造其的中間產品

在審

• 申請號: 201811052377.6
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110890278A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 王西政;王鵬
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;秦晶晶

本發明公開了一種提升平面IGBT良率的方法及制造其的中間產品，其中，方法包括對硅片上的多晶硅層進行摻雜；在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層。本發明在多晶硅層的相關工藝完成后，在多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層，從而在P型結高溫推進的過程中，能夠避免硅片正反面的多晶硅層里高濃度N型雜質擴散到P型深結區中，也就避免了由于N型雜質的引入，所導致的較高的反向擊穿漏電流以及較低的反向擊穿電壓，提高了平面IGBT的良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種提升平面IGBT良率的方法及制造其的中間產品。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)綜合了BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極型三極管)和MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金氧半場效晶體管)的優點，兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點，在軌道交通、航空航天等領域得到廣泛的應用。但是，傳統的IGBT的良率難以維持在一較高水平，這限制了IGBT優異性能的發揮。

發明內容

本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術中IGBT的良率偏低的缺陷，提供一種提升平面IGBT良率的方法及制造其的中間產品。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題：

一種提升平面IGBT良率的方法，其特點在于，所述方法包括：

對硅片上的多晶硅層進行摻雜；

在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層。

較佳地，所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟包括：

在常壓環境中生長所述第一薄氧化層。

較佳地，所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟包括：

通過低溫氧化的方式生長所述第一薄氧化層。

較佳地，在900-950℃的范圍內生長所述第一薄氧化層。

較佳地，所述第一薄氧化層的厚度為150-250埃。

較佳地，在所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟之后，所述方法還包括：

對所述硅片進行光刻、刻蝕、離子注入、推結，以形成平面IGBT。

較佳地，當對多個所述硅片進行推結時，所述對所述硅片進行推結的步驟包括：

對多個依次擺放的所述硅片進行推結，其中，每一所述硅片的擴散區的朝向相同。

較佳地，在所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟之前，所述方法還包括：

在經摻雜的所述多晶硅層的表面上進行濕法腐蝕，以去除硼硅玻璃。

較佳地，在所述對硅片上的多晶硅層進行摻雜的步驟之前，所述方法還包括：

在所述硅片的表面上生長第二薄氧化層；

在所述第二薄氧化層的表面上淀積所述多晶硅層。

一種用于制造平面IGBT的中間產品，其特點在于，所述中間產品包括硅片、生長于所述硅片表面上的第二薄氧化層、生長于所述第二薄氧化層表面上的多晶硅層、以及生長于所述多晶硅層表面上的第一薄氧化層，其中，所述第一薄氧化層采用上述任一種提升平面IGBT良率的方法制成。