[發明專利]提升平面IGBT良率的方法及制造其的中間產品

在審

• 申請號: 201811052377.6
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110890278A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 王西政;王鵬
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;秦晶晶

1.一種提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述方法包括：

對硅片上的多晶硅層進行摻雜；

在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層。

2.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟包括：

在常壓環境中生長所述第一薄氧化層。

3.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟包括：

通過低溫氧化的方式生長所述第一薄氧化層。

4.如權利要求3所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在900-950℃的范圍內生長所述第一薄氧化層。

5.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述第一薄氧化層的厚度為150-250埃。

6.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟之后，所述方法還包括：

對所述硅片進行光刻、刻蝕、離子注入、推結，以形成平面IGBT。

7.如權利要求6所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，當對多個所述硅片進行推結時，所述對所述硅片進行推結的步驟包括：

對多個依次擺放的所述硅片進行推結，其中，每一所述硅片的擴散區的朝向相同。

8.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述在經摻雜的所述多晶硅層的表面上生長第一薄氧化層的步驟之前，所述方法還包括：

在經摻雜的所述多晶硅層的表面上進行濕法腐蝕，以去除硼硅玻璃。

9.如權利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述對硅片上的多晶硅層進行摻雜的步驟之前，所述方法還包括：

在所述硅片的表面上生長第二薄氧化層；

在所述第二薄氧化層的表面上淀積所述多晶硅層。

10.一種用于制造平面IGBT的中間產品，其特征在于，所述中間產品包括硅片、生長于所述硅片表面上的第二薄氧化層、生長于所述第二薄氧化層表面上的多晶硅層、以及生長于所述多晶硅層表面上的第一薄氧化層，其中，所述第一薄氧化層采用如權利要求1-5中任一項所述的提升平面IGBT良率的方法制成。