[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811051364.7
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110890421A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有若干溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構定義出有源區；以及，

柵電極，形成于所述有源區上并延伸至所述溝槽隔離結構，其中，所述柵電極在所述有源區及所述溝槽隔離結構的交界處具有橫向凸出的凸出部，所述凸出部的橫向凸出方向垂直于所述柵電極的延伸方向，以使所述柵電極在所述交界處的橫向寬度尺寸大于所述柵電極位于所述有源區中間區域的橫向寬度尺寸，且所述凸出部的橫向寬度尺寸從所述交界處往所述有源區中心的方向逐漸減小。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述有源區中形成有源區和漏區，并且所述源區和所述漏區在平行于所述柵電極的延伸方向上均擴展至所述有源區的邊界，所述柵電極位于所述源區和所述漏區之間以構成一晶體管，所述晶體管在所述有源區靠近所述交界處的溝道區域的長度大于所述晶體管在所述有源區中間區域的溝道區域的長度，且所述晶體管在所述有源區靠近所述交界處的溝道區域的長度從所述交界處往有源區中心的方向逐漸減小。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述凸出部在所述交界處還分別往所述有源區中和所述溝槽隔離結構中延伸，以使所述凸出部部分位于所述有源區上，另一部分位于所述溝槽隔離結構上。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述凸出部的側壁呈傾斜狀或臺階狀。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述凸出部的側壁形成2-5級臺階。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述凸出部在平行于所述柵電極的延伸方向上的寬度尺寸介于30nm-140nm。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述凸出部的橫向寬度尺寸介于20nm-100nm。

8.如權利要求1-7中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件應用于集成電路存儲器中，所述集成電路存儲器包括若干晶體管。