[發明專利]有源矩陣基板和多路分配電路

在審

• 申請號: 201811051186.8
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN109494229A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 宮本忠芳;中村好伸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;張艷鳳

減小形成于有源矩陣基板的多路分配電路的TFT的尺寸。多路分配電路的各單位電路具有：至少n個TFT；以及n個分支配線，其連接到1個視頻信號線，各TFT具有：氧化物半導體層；上部柵極電極，其隔著柵極絕緣層配置在氧化物半導體層上；以及第1電極和第2電極，還具備：第1層間絕緣層，其覆蓋氧化物半導體層和上部柵極電極；以及第2層間絕緣層，其配置在第1層間絕緣層上，第1電極配置在第1層間絕緣層與第2層間絕緣層之間并且在形成于第1層間絕緣層的第1接觸孔內與氧化物半導體層接觸，第2電極配置在第2層間絕緣層上并且在形成于第1層間絕緣層和第2層間絕緣層的第2接觸孔內與氧化物半導體層接觸。

技術領域

本發明涉及具備多路分配電路(Demultiplexer Circuit)的有源矩陣基板和多路分配電路。

背景技術

液晶顯示裝置等所使用的有源矩陣基板具有：具有多個像素的顯示區域；以及顯示區域以外的區域(非顯示區域或邊框區域)。在顯示區域中，多個像素在行方向和列方向上2維地排列。各像素具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor；以下，稱為“TFT”)等開關元件。作為這種開關元件，以往以來廣泛使用將非晶硅膜作為活性層的TFT(以下，稱為“非晶硅TFT”)、將多晶硅膜作為活性層的TFT(以下，稱為“多晶硅TFT”)。

作為TFT的活性層的材料，已提出使用氧化物半導體來代替非晶硅、多晶硅。將這種TFT稱為“氧化物半導體TFT”。氧化物半導體具有比非晶硅高的遷移率。因此，氧化物半導體TFT能比非晶硅TFT高速地動作。

有時在有源矩陣基板的非顯示區域單片(一體)地形成驅動電路等周邊電路。通過單片地形成驅動電路，實現由非顯示區域的窄小化、安裝工序簡化所帶來的成本降低。例如，在非顯示區域中，有時單片地形成柵極驅動器電路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安裝源極驅動器電路。

在智能手機等窄邊框化要求高的設備中，已提出不僅單片地形成柵極驅動器而且還單片地形成源極切換(Source Shared Driving：SSD)電路等多路分配電路(例如專利文獻1)。SSD電路是從來自源極驅動器的各端子的1個視頻信號線向多個源極配線分配視頻數據的電路。通過搭載SSD電路，能使非顯示區域的配置端子部的區域(端子部形成區域)更窄。另外，來自源極驅動器的輸出數量減小，能減小電路規模，因此能減少驅動器IC的成本。

驅動電路、SSD電路等周邊電路包含TFT。在本說明書中，將在顯示區域的各像素中作為開關元件配置的TFT稱為“像素TFT”，將構成周邊電路的TFT稱為“電路TFT”。另外，將電路TFT中的在多路分配電路(或SSD電路)中作為開關元件使用的TFT稱為“DMX電路用TFT”(或“SSD電路用TFT”)。在使用氧化物半導體TFT作為像素TFT的有源矩陣基板中，從制造工序的觀點來說，優選形成使用與像素TFT相同的氧化物半導體膜的氧化物半導體TFT作為電路TFT。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2011/118079號

發明內容

發明要解決的問題

由于比較大的電流流過SSD電路用TFT等DMX電路用TFT，因此TFT尺寸(溝道寬度)變大。特別是，在使用氧化物半導體TFT作為DMX電路用TFT的情況下，氧化物半導體與多晶硅相比遷移率小約1個數量級，因此與使用多晶硅TFT的情況相比溝道寬度較大。這成為使多路分配電路的面積(或邊框區域)增大的重要因素。因此，要求進一步減小DMX電路用TFT的尺寸(例如溝道長度方向的寬度)。

本發明的實施方式是鑒于上述情況而完成的，其目的在于在單片地形成有多路分配電路的有源矩陣基板中，減小構成多路分配電路的TFT的尺寸。