[發明專利]有源矩陣基板和多路分配電路

在審

• 申請號: 201811051186.8
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN109494229A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 宮本忠芳;中村好伸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;張艷鳳

1.一種有源矩陣基板，

具有：顯示區域，其包含多個像素；以及非顯示區域，其設置在上述顯示區域的周邊，

具備：基板；多路分配電路，其配置在上述非顯示區域，并且支撐于上述基板；以及多個源極總線和多個柵極總線，在上述顯示區域中，上述多個源極總線在第1方向上延伸，上述多個柵極總線在與上述第1方向交叉的第2方向上延伸，

上述有源矩陣基板的特征在于，

上述多路分配電路具有多個單位電路，上述多個單位電路各自從多個視頻信號線中的1個視頻信號線向多個源極總線中的n個源極總線分配視頻信號，其中，n為2以上的整數，

上述多個單位電路各自具有：至少n個TFT；以及n個分支配線，其連接到上述1個視頻信號線，

上述至少n個TFT各自具有：氧化物半導體層；上部柵極電極，其隔著柵極絕緣層配置在上述氧化物半導體層上；以及第1電極和第2電極，其電連接到上述氧化物半導體層，上述第1電極和上述第2電極中的一方是電連接到上述n個源極總線中的1個源極總線的漏極電極，另一方是電連接到上述n個分支配線中的1個分支配線的源極電極，

還具備：第1層間絕緣層，其覆蓋上述氧化物半導體層和上述上部柵極電極；以及第2層間絕緣層，其配置在上述第1層間絕緣層上，

上述第1電極配置在上述第1層間絕緣層與上述第2層間絕緣層之間，并且在形成于上述第1層間絕緣層的第1接觸孔內與上述氧化物半導體層接觸，

上述第2電極配置在上述第2層間絕緣層上，并且在形成于上述第2層間絕緣層和上述第1層間絕緣層的第2接觸孔內與上述氧化物半導體層接觸。

2.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，

在上述至少n個TFT中的每個TFT中，上述第1電極隔著上述第1層間絕緣層與上述上部柵極電極部分地重疊，上述第2電極隔著上述第1層間絕緣層和上述第2層間絕緣層與上述上部柵極電極部分地重疊。

3.根據權利要求1或2所述的有源矩陣基板，

上述至少n個TFT的溝道長度方向是上述第1方向，上述至少n個TFT的溝道寬度方向是上述第2方向。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板，

上述至少n個TFT各自還具有配置在上述氧化物半導體層的上述基板側的下部電極。

5.根據權利要求4所述的有源矩陣基板，

上述下部電極是接地的。

6.根據權利要求4所述的有源矩陣基板，

上述下部電極電連接到上述上部柵極電極。

7.根據權利要求4所述的有源矩陣基板，

上述下部電極與上述上部柵極電極設定為不同的電位。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的有源矩陣基板，

上述多路分配電路包含上述第1電極是源極電極且上述第2電極是漏極電極的第1TFT以及上述第1電極是漏極電極且上述第2電極是源極電極的第2TFT。

9.根據權利要求1至8中的任一項所述的有源矩陣基板，

上述多路分配電路包含多個子電路，

各子電路包含上述多個單位電路中的至少第1單位電路和第2單位電路，

在上述各子電路中，上述第1單位電路的上述n個源極總線與上述第2單位電路的上述n個源極總線在上述第2方向上各1個地交替排列。

10.根據權利要求9所述的有源矩陣基板，

在上述第1單位電路和上述第2單位電路中的每個單位電路中，上述至少n個TFT在上述第1方向上排列，

在上述各子電路中，配置有上述第1單位電路的上述至少n個TFT的第1單位電路形成區域位于配置有上述第2單位電路的上述至少n個TFT的第2單位電路形成區域與上述顯示區域之間。