[發明專利]微型溫控結構單元

在審

• 申請號: 201811050715.2
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN109379875A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 趙勇臣;鄒強
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 楊歡

本發明屬于手機外殼領域，具體涉及一種微型溫控結構單元，包括與發熱元件接觸的換熱導電基板、設置在所述的換熱導電基板上的金屬泡沫網層、填充在所述的金屬泡沫網層里面的相變蠟以及涂覆在所述的金屬泡沫網孔表面的石墨烯。本申請利用金屬泡沫對熱進行傳導，并通過金屬泡沫網中設置的相變蠟的相變對熱量進行吸收，通過塞貝克效應，將發熱元件的熱量進行轉化，石墨烯的加入使其獲得超強導電特性。

技術領域

本發明屬于熱電轉化領域，具體涉及一種微型溫控結構單元。

背景技術

手機在較長時間續航過程中發熱問題嚴重。隨著科技發展，各器件集成度越來越高，對于手機內部空間利用和設計要求極為嚴苛，即使做到了最優方案，也難以尋得行之有效的散熱途徑。以蘋果數碼產品為例，其散熱方案主要是通過鋁合金全金屬外殼，可即便做到巧妙利用了金屬的熱學特性，依然會對核心原件產生影響從而觸發設備的降頻保護機制。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中的缺陷，提供一種微型溫控結構單元。

本發明為實現上述目的，采用以下技術方案：

微型溫控結構單元,包括與發熱元件接觸的換熱基板、設置在所述的換熱基板上的金屬泡沫網層、填充在所述的金屬泡沫網層里面的相變蠟以及涂覆在所述的金屬泡沫網孔表面的石墨烯。

所述的金屬泡沫為銅、鋁或者鎳制成。

所述的金屬泡沫的孔密度的范圍為60PPI～130PPI，孔隙率的范圍為0.8～0.9，厚度為10nm～1mm。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本申請利用金屬泡沫對熱進行傳導，并通過金屬泡沫網中設置的相變蠟的相變對熱量進行吸收，通過塞貝克效應，將發熱元件的熱量進行轉化，石墨烯的加入使其獲得超強導電特性。

具體實施方式

為了使本技術領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合實施例對本發明作進一步的詳細說明。

實施例1：微型溫控結構單元,包括與發熱元件接觸的換熱基板、設置在所述的換熱基板上的金屬泡沫網層、填充在所述的金屬泡沫網層里面的相變蠟以及涂覆在所述的金屬泡沫網孔表面的石墨烯。所述的金屬泡沫為銅制成。所述的金屬泡沫的孔密度的范圍為100PPI，孔隙率的范圍為0.8～0.9，厚度為0.5mm。

實施例2：微型溫控結構單元,包括與發熱元件接觸的換熱基板、設置在所述的換熱基板上的金屬泡沫網層、填充在所述的金屬泡沫網層里面的相變蠟以及涂覆在所述的金屬泡沫網孔表面的石墨烯。所述的金屬泡沫為鋁制成。所述的金屬泡沫的孔密度的范圍為60PPI，孔隙率的范圍為0.8～0.9，厚度為10nm。

實施例3：微型溫控結構單元,包括與發熱元件接觸的換熱基板、設置在所述的換熱基板上的金屬泡沫網層、填充在所述的金屬泡沫網層里面的相變蠟以及涂覆在所述的金屬泡沫網孔表面的石墨烯。所述的金屬泡沫為鎳制成。所述的金屬泡沫的孔密度的范圍為130PPI，孔隙率的范圍為0.8～0.9，厚度為1mm。

使該結構直接通過塞貝克效應完成熱電轉換，可以將并轉化所得電能直接輸出作為部分傳感器、LED(LightEmittingDiode發光二極管)等元件。例如，通過設置電源供給LED閾值電壓參數直接將被轉化的電能供給到屏幕背光LED。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。