[發(fā)明專利]拋光墊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811050637.6
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110883684A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種拋光墊，具有拋光表面，所述拋光表面上設有多個研磨槽，其特征在于，所述研磨槽在所述拋光表面上的正投影軌跡呈波浪形，且該波浪形的正投影軌跡符合簡諧運動的運動軌跡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨槽的正投影軌跡的振幅為80密耳～140密耳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨槽的正投影軌跡的一個振動周期所對應的長度為160密耳～240密耳。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，多個所述研磨槽包括：

多個第一研磨槽，分別沿第一方向延伸，且多個所述第一研磨槽在垂直于所述第一方向的第二方向上平行間隔分布；以及

多個第二研磨槽，分別沿所述第二方向延伸，且多個所述第二研磨槽在所述第一方向上平行間隔分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的拋光墊，其特征在于，所述第一研磨槽的正投影軌跡的振幅等于所述第二研磨槽的正投影軌跡的振幅，所述第一研磨槽的正投影軌跡的振動周期等于所述第二研磨槽的正投影軌跡的振動周期。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的拋光墊，其特征在于，多個所述第一研磨槽間隔均勻分布，多個所述第二研磨槽間隔均勻分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，其特征在于，相鄰兩個所述第一研磨槽的間距等于相鄰兩個所述第二研磨槽的間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，多個所述研磨槽由所述拋光墊的中心位置向所述拋光墊的邊緣呈輻射式分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，多個所述研磨槽包括多個主研磨槽和多個子研磨槽，多個所述主研磨槽呈網(wǎng)格狀分布并界定出呈陣列分布的多個矩形區(qū)域，每個所述矩形區(qū)域中分別設有至少一個所述子研磨槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其特征在于，多個所述主研磨槽包括：

多個第一主研磨槽，分別沿第一方向延伸，且多個所述第一主研磨槽在垂直于所述第一方向的第二方向上平行間隔分布；以及

多個第二主研磨槽，分別沿所述第二方向延伸，且多個所述第二主研磨槽在所述第一方向上平行間隔分布。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其特征在于，所述矩形區(qū)域中的各個所述子研磨槽分別沿所述第一方向延伸，并在所述第二方向上平行間隔分布。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光墊，其特征在于，所述矩形區(qū)域中的所述子研磨槽包括：

至少一個第一子研磨槽，分別沿所述第一方向延伸，且各個所述第一子研磨槽在所述第二方向上平行間隔分布；以及

至少一個第二子研磨槽，分別沿所述第二方向延伸，且各個所述第二子研磨槽在所述第一方向上平行間隔分布。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12任意一項所述的拋光墊，其特征在于，定義一參考平面，所述參考平面垂直于所述研磨槽的延伸方向，所述研磨槽的槽腔在所述參考平面上的正投影呈倒梯形。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的拋光墊，其特征在于，所述倒梯形具有分別對應于所述研磨槽槽口、槽底和兩側(cè)槽壁的上底、下底和兩條腰，所述上底的長度大于所述下底，兩條所述腰的長度相等。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～12任意一項所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨槽的槽深在由所述拋光墊中心位置至所述拋光墊邊緣位置的方向上漸增。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨槽的位于所述拋光墊中心位置的部分的槽深，等于所述拋光墊厚度的0.15倍～0.35倍。