[發明專利]嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201811050528.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110890461B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 洪慶文;李昆儒
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H10N50/01
• 分類號: H10N50/01;H10B61/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

在基底結構上形成存儲單元堆疊結構，其中所述存儲單元堆疊結構包括：

第一電極，位于所述基底結構上；

第二電極，位于所述第一電極上；以及

磁性隧穿接面結構，位于所述第一電極與所述第二電極之間；

形成覆蓋所述存儲單元堆疊結構的第一介電層；

在所述第一介電層上形成金屬氮化物層；

在所述金屬氮化物層上形成第二介電層；

以所述金屬氮化物層作為終止層，對所述第二介電層進行第一化學機械研磨制作工藝，以暴露出所述金屬氮化物層；

進行回蝕刻制作工藝，以完全移除所述金屬氮化物層，且暴露出所述第一介電層；以及

進行第二化學機械研磨制作工藝，以暴露出所述第二電極；

其中，所述基底結構定義有彼此相鄰的嵌入式存儲器區與元件區，且所述存儲單元堆疊結構位于所述嵌入式存儲器區中；

在進行所述第一化學機械研磨制作工藝之前，

所述嵌入式存儲器區中的所述第一介電層的高度高于所述元件區中的所述第一介電層的高度，

所述嵌入式存儲器區中的所述金屬氮化物層的高度高于所述元件區中的所述金屬氮化物層的高度，且

所述嵌入式存儲器區中的所述第二介電層的高度高于所述元件區中的所述第二介電層的高度。

2.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述回蝕刻制作工藝包括無選擇比的干式蝕刻制作工藝。

3.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲單元堆疊結構還包括：

晶種層，位于所述第一電極與所述磁性隧穿接面結構之間。

4.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲單元堆疊結構還包括：

阻障層，位于所述第一電極與所述基底結構之間。

5.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第一介電層之前，形成覆蓋所述存儲單元堆疊結構的保護層。

6.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一介電層的介電常數與所述第二介電層的介電常數不同。

7.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一介電層的介電常數與所述第二介電層的介電常數相同。

8.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一介電層的材料包括超低介電常數材料。

9.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述金屬氮化物層的材料包括氮化鈦或氮化鉭。

10.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二介電層的材料包括四乙氧基硅烷氧化物。

11.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

在進行所述第一化學機械研磨制作工藝之后與進行所述回蝕刻制作工藝之前，進行濕式清洗制作工藝。

12.根據權利要求11所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述濕式清洗制作工藝的清洗劑包括超稀釋氫氟酸。

13.根據權利要求1所述的嵌入式磁阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

在進行所述回蝕刻制作工藝之后，進行濕式清洗制作工藝。