[發(fā)明專利]一種基于鈮酸鋰晶片的激光輔助氧化鋅生長的裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811049556.4 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109136881B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閻文博;梁超;任滿意;李菲菲;昝知韜 | 申請(專利權(quán))人: | 河北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/40 | 分類號: | C23C16/40;C23C16/48;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300401 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 鈮酸鋰 晶片 激光 輔助 氧化鋅 生長 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基于鈮酸鋰晶片的激光輔助氧化鋅生長的裝置及方法,該裝置包括激光器1、凸透鏡2、銅質(zhì)容器3、電阻加熱棒4、溫度控制器5、聚四氟乙烯容器6、熱電偶7、鈮酸鋰晶片8。本發(fā)明裝置主要由聚焦光路、聚四氟乙烯容器、溫控系統(tǒng)三部分組成,利用聚焦激光照射鈮酸鋰晶片產(chǎn)生光生伏打效應(yīng),同時(shí)結(jié)合化學(xué)合成的方法,實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰晶片上特定區(qū)域的氧化鋅生長。此方法不僅縮短了氧化鋅生長的時(shí)間,而且可以精確調(diào)控生長位置,并且通過控制激光的功率得到不同直徑大小的棒狀氧化鋅。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體復(fù)合材料領(lǐng)域,其涉及一種基于鈮酸鋰晶片的激光輔助氧化鋅生長的裝置及方法。
背景技術(shù)
鈮酸鋰晶體具有顯著的電光、鐵電、壓電、非線性、光折變等效應(yīng),作為襯底材料在生物醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室芯片及集成光學(xué)器件等半導(dǎo)體復(fù)合材料領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用前景。
氧化鋅具有優(yōu)良的光電、壓電、熱電、催化性能,廣泛應(yīng)用于太陽能電池、氣敏元件、壓敏電阻、聲表面波等器件。
2007年,Liu(Photocatalytic nanoparticle deposition on LiNbO3nanodomain patterns via photovoltaic effect[J].Appl.Phys.Lett,91,044101,2007.)等人通過光生伏打效應(yīng)使銀納米顆粒選擇性沉積到鈮酸鋰正C表面,實(shí)現(xiàn)了鈮酸鋰表面金屬顆粒的選擇性生長。此方法沒有實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰表面半導(dǎo)體材料的生長。
2013年,文獻(xiàn)(Effect of Seed Layer Structure on Surface Morphology andPhotoluminescence Property of ZnO Nanorods Grown on LiNbO3 Substrate,143,116-121(2013))采用射頻磁控濺射法將ZnO薄膜沉積在64°Y切LiNbO3襯底上,然后通過水熱法在薄膜上合成ZnO納米棒陣列。此方法通過傳統(tǒng)的兩步法在鈮酸鋰襯底上生長氧化鋅,其生長過程較為繁瑣,耗時(shí)較長,而且不能控制氧化鋅的生長區(qū)域。
2017年,郭禧斌等人提出了一種電學(xué)器件用Al摻雜的氧化鋅薄膜的制備方法(專利申請?zhí)枺?01710490722.3)。此方法利用脈沖激光轟擊ZnO靶材和Al2O3靶材制備摻Al氧化鋅,制備氧化鋅過程中用到脈沖激光、電爐和石英管等昂求設(shè)備,且制備過程較為繁瑣。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為針對目前基底上生長氧化鋅步驟繁瑣、耗時(shí)較長、設(shè)備復(fù)雜昂貴等缺點(diǎn),提出一種設(shè)備簡單、耗時(shí)較短,同時(shí)可以控制棒狀氧化鋅生長區(qū)域和生長直徑的方法。
一方面本發(fā)明提供一種基于鈮酸鋰晶片的激光輔助氧化鋅生長的裝置,其特征在于:通過激光器1、凸透鏡2、鈮酸鋰晶片8形成聚焦光路,通過銅質(zhì)容器3、電阻加熱棒4、溫度控制器5、熱電偶7組成溫控系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)聚四氟乙烯容器6內(nèi)溶液的控溫,通過聚焦光路、溫控系統(tǒng)、聚四氟乙烯容器三部分組合實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰晶片特定區(qū)域的氧化鋅生長。
作為優(yōu)選,所述聚四氟乙烯容器6內(nèi)容納有氧化鋅生長溶液,所述聚四氟乙烯容器6的一側(cè)壁設(shè)置有通孔,所述鈮酸鋰晶片8固定在所述通孔位置處,使所述鈮酸鋰晶片8與所述溶液相接觸。
作為優(yōu)選,所述的鈮酸鋰晶片8不局限于鈮酸鋰,是光折變晶體。
作為優(yōu)選,所述光折變晶體為鉭酸鋰或鈦酸鋇。
另一方面本發(fā)明還提供一種基于鈮酸鋰晶片的激光輔助氧化鋅生長的方法,包括以下步驟:
第一步,將清洗后的鈮酸鋰晶片固定到聚四氟乙烯容器上。
第二步,配置等摩爾比的醋酸鋅和六亞甲基四胺溶液,溶液的溶劑為去離子水。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河北工業(yè)大學(xué),未經(jīng)河北工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811049556.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





